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龙图腾网获悉福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利压力传感器和触控装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119292486B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411387928.X，技术领域涉及：G06F3/041；该发明授权压力传感器和触控装置是由林祥栋;杨孟孟;付婉霞;陈周煜;李增荣;王洋;林滨;吴承隆;王钧;陈骁宇;严新坚;阮慧榕设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本压力传感器和触控装置在说明书摘要公布了：本公开提供了一种压力传感器和触控装置。本公开的压力传感器包括相对设置的第一基板和第二基板、薄膜晶体管和多个凸起结构。薄膜晶体管包括栅极、有源层和源漏电极层。源漏电极层包括第一极和第二极。凸起结构位于栅极与有源层之间，包括支撑部和弹性功能部。沿靠近栅极的方向，弹性功能部的平行于第一基板的截面的面积逐渐增大。在压力传感器未受到压力时，弹性功能部靠近第一极的表面在第一基板上具有第一正投影，弹性功能部靠近第二极的表面在第一基板上具有第二正投影。第一正投影和第二正投影均位于源漏电极层在第一基板上的正投影范围内。压力传感器在受到压力时，有源层与源漏电极层的接触面积变大，以实现压力检测。

本发明授权压力传感器和触控装置在权利要求书中公布了：1.一种压力传感器，其特征在于，包括： 相对设置的第一基板和第二基板； 薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层和源漏电极层，所述栅极位于所述第一基板靠近所述第二基板的一侧，所述有源层位于所述栅极远离所述第一基板的一侧；所述源漏电极层位于所述有源层和所述第二基板之间；所述源漏电极层包括第一极和第二极； 多个凸起结构；所述凸起结构位于所述栅极与所述有源层之间；所述凸起结构包括靠近所述栅极的支撑部和位于所述支撑部远离所述栅极一侧的弹性功能部；沿靠近所述栅极的方向，所述弹性功能部的平行于所述第一基板的截面的面积逐渐增大； 在所述压力传感器未受到压力的状态下，所述弹性功能部靠近所述第一极的表面在所述第一基板上具有第一正投影，所述弹性功能部靠近所述第二极的表面在第一基板上具有第二正投影，所述第一正投影和所述第二正投影均位于所述源漏电极层在所述第一基板上的正投影范围内，且与所述源漏电极层在第一基板上的正投影边缘存在间隔； 在所述压力传感器未受到压力的状态下，所述有源层与所述源漏电极层的接触面积为第一面积；在所述压力传感器受到压力的状态下，所述有源层与所述源漏电极层的接触面积为第二面积，所述第二面积大于所述第一面积。

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