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龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种低钠离子迁移势垒的无限层镍氧化物的设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119296692B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411304979.1，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种低钠离子迁移势垒的无限层镍氧化物的设计方法是由崔苑苑;张诚宇;牛露鑫;高彦峰设计研发完成，并于2024-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低钠离子迁移势垒的无限层镍氧化物的设计方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种低钠离子迁移势垒的无限层镍氧化物的设计方法，包括：构建无限层稀土镍氧化物与碳化钛模型并扩胞，确保接触表面一致；构建异质结模型并转化为三维原子坐标文件；对两种材料表面结构优化，合并并增加真空层后计算界面能；分析结构变化和钠离子迁移势垒，计算离子电导优化率，为钠离子电池负极材料设计提供理论依据。与现有技术相比，本发明通过第一性原理计算优化碳化钛二维材料作为钠离子电池负极的离子传导能力，降低迁移势垒，构建无限层镍酸盐与碳化钛异质结，提升钠离子传导性能，为钠离子电池负极材料设计提供新思路。

本发明授权一种低钠离子迁移势垒的无限层镍氧化物的设计方法在权利要求书中公布了：1.一种低钠离子迁移势垒的无限层镍氧化物的设计方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：构建无限层稀土镍氧化物与碳化钛的模型：利用晶体结构可视化软件构建钙钛矿型无限层稀土镍氧化物与碳化钛的模型，并进行扩胞操作，以确保两种材料的接触表面面积一致性； S2：构建无限层稀土镍氧化物碳化钛异质结模型：将扩胞后的模型通过晶体结构可视化软件构建成无限层稀土镍氧化物碳化钛异质结模型，并转化为三维原子坐标文件； S3：计算无限层稀土镍氧化物碳化钛异质结的界面能：分别对无限层稀土镍氧化物和碳化钛的表面结构进行结构优化，得到稳定的表面结构坐标文件，对表面结构坐标文件合并后增加真空层以隔绝周期性边界效应，计算得到最优化结构，并分析无限层稀土镍氧化物异质结的表面结合能； S4：结果处理与分析：通过晶体结构可视化软件展示优化后的体系结构，分析不同稀土元素构成的无限层的键长键角以及晶格常数的变化，绘制电荷密度图、态密度图、钠离子迁移势垒图、电子电导率图，比较钠离子在异质结层间与表面以及碳化钛层间的迁移势垒，得出钠离子迁移能垒的变化情况，从而计算离子电导优化率，基于离子电导优化率设计无限层稀土镍氧化物，作为钠离子电池负极材料； S1至S4中：所述低钠离子迁移势垒的无限层镍氧化物设计方法采用筛选方法，所述筛选方法基于密度泛函的第一性原理计算，筛选对象是不同真空层厚度与掺杂不同Sr浓度的异质结模型； S3和S4中，调控低钠离子迁移势垒的无限层镍氧化物设计方法是对离子和价电子的相互作用，并采用缀加平面波的方法来描述，交换关联泛函采用广义梯度近似方法。

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