中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司冯威获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利存储结构及其形成方法、存储器电路及其工作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317108B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310865249.8，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权存储结构及其形成方法、存储器电路及其工作方法是由冯威;张伟;石强设计研发完成，并于2023-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储结构及其形成方法、存储器电路及其工作方法在说明书摘要公布了：一种存储结构及其形成方法、存储器电路及其工作方法，其中结构包括：存储单元结构包括第一选择栅、第二选择栅、位于第一选择栅和第二选择栅之间的擦除栅、位于擦除栅和第一选择栅之间的第一浮栅、位于擦除栅和第二选择栅之间的第二浮栅、位于第一浮栅上的第一控制栅、以及位于第二浮栅上的第二控制栅，第一选择栅底部的衬底内具有第一沟道区，第二选择栅底部的衬底内具有第二沟道区，第一沟道区的开启电压与第二沟道区的开启电压不同；位于擦除栅底部的衬底内的源极掺杂区；分别位于存储单元结构两侧的衬底内的漏极掺杂区；字线电接结构，分别将相邻存储单元结构的第一选择栅和第二选择栅电连接，在提高存储密度的同时，缩短了写入的时间。
本发明授权存储结构及其形成方法、存储器电路及其工作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储结构，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底上的若干存储单元结构，所述存储单元结构包括第一选择栅、第二选择栅、位于所述第一选择栅和所述第二选择栅之间的擦除栅、位于所述擦除栅和所述第一选择栅之间的第一浮栅、位于所述擦除栅和所述第二选择栅之间的第二浮栅、位于所述第一浮栅上的第一控制栅、以及位于所述第二浮栅上的第二控制栅，所述第一选择栅底部的所述衬底内具有第一沟道区，所述第二选择栅底部的所述衬底内具有第二沟道区，所述第一沟道区的开启电压与第二沟道区的开启电压不同； 位于所述擦除栅底部的所述衬底内的源极掺杂区； 分别位于所述存储单元结构两侧的所述衬底内的漏极掺杂区； 字线电接结构，分别将相邻存储单元结构的第一选择栅和第二选择栅电连接。
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