安世有限公司斯特凡·伯格伦德获国家专利权
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龙图腾网获悉安世有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317125B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411423455.4，技术领域涉及：H10D10/40；该发明授权半导体装置及其制造方法是由斯特凡·伯格伦德;斯特芬·霍兰设计研发完成，并于2019-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种双极晶体管半导体装置，包括：衬底层；由衬底层支撑的集电极外延层；由集电极外延层的一部分支撑的基极区域；以及由基极区域的一部分支撑的发射极区域，其中，发射极区域包括多晶硅材料。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种双极晶体管半导体装置，包括： 衬底层； 在所述衬底层上直接支撑的集电极外延层； 所述集电极外延层中的多个沟道注入； 由所述集电极外延层的一部分支撑的基极区域，所述基极区域形成在所述集电极外延层中； 由所述基极区域的一部分支撑的发射极区域，其中，所述发射极区域包括多晶硅材料； 所述基极区域的不支撑所述发射极区域的部分中的基极接触扩散注入，其中所述基极接触扩散注入在所述多个沟道注入之间；以及 钛Ti层和或铝Al层，其中，所述钛层和或铝层由所述集电极外延层中的所述多个沟道注入、所述基极区域和所述发射极区域中的所述基极接触扩散注入支撑，并且其中，所述钛层和或铝层还包括AlSi和或AlSiCu。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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