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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种吸收区全耗尽高温运行中波雪崩探测器结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342928B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411501680.5，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种吸收区全耗尽高温运行中波雪崩探测器结构的制备方法是由朱立祁;林春;林加木;王溪;周松敏;黄健;陈路;何力设计研发完成，并于2024-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种吸收区全耗尽高温运行中波雪崩探测器结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种吸收区全耗尽高温运行中波雪崩探测器结构的制备方法，该方法是采用背部高组分互扩散的碲镉汞材料，经离子注入形成n+区后推结退火形成雪崩探测器n‑倍增区，通过控制推结退火时间与温度，使倍增区集中在低组分区以获得最大增益与中波响应，而吸收区禁带宽度差异形成的内建电场耗尽吸收区厚度，实现通过减弱扩散电流形成高温运行中波雪崩探测器。

本发明授权一种吸收区全耗尽高温运行中波雪崩探测器结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种吸收区全耗尽高温运行中波雪崩探测器结构的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 第一步，碲镉汞材料背面表面互扩散：对在CdZnTe衬底上生长的碲镉汞材料进行互扩散退火处理，得到组分梯度变化的表面钝化层与背面组分梯度区域，同时对陪片进行SIMS标定； 第二步，进行p+型退火掺杂：对互扩散后的材料进行的P型Hg空位掺杂； 第三步，光刻离子注入孔：在已经制备ZnS阻挡层和对准标记的碲镉汞异质材料上，采用正性光刻胶光刻获得离子注入孔； 第四步，硼离子注入，注入后在丙酮中浸泡去除光刻胶，在纯盐酸中浸泡去除表面ZnS阻挡层，获得n+区； 第五步，快速推结退火，根据SIMS标定组分分布获得n-倍增区； 第六步，钝化及腐蚀p++电极孔：采用CdTeZnS双层钝化工艺；采用正性光刻胶光刻在每个注入孔以及p型区域开出腐蚀电极孔，冰点纯盐酸与氢溴酸中腐蚀； 第七步，金属电极制备：使用电子束蒸发设备制备厚度分别为50nm100nm的CrAu，之后在丙酮中浸泡，再进行金属剥离和去除光刻胶； 第八步，倒焊In柱制备：采用正性光刻胶光刻在每个注入区电极孔与公共电极开出In柱制备区，先采用电子束蒸发制备厚度分别为100nm100nm的UBM金属CrAu，之后在UBM金属CrAu热蒸发In柱，制作后在丙酮中浸泡，再进行金属剥离和去除光刻胶； 第九步，器件倒焊：将第八步制作完成的结构与外部宝石基板经In柱倒焊互连； 第十步，电流-电压与倍增增益测试：使用变温杜瓦测试系统对不同面积器件测试光暗电流-电压特性。

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