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龙图腾网获悉唐山国芯晶源电子有限公司申请的专利一种压电水晶光刻腐蚀工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119343042B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411775133.6，技术领域涉及：H10N30/082；该发明授权一种压电水晶光刻腐蚀工艺是由徐建民;张立强;丁洁;李永斌;陈建松;郝建军;崔立志;杨铁生设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种压电水晶光刻腐蚀工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及一种压电水晶光刻腐蚀工艺，属于石英微机械加工的技术领域，所述工艺包括以下步骤：清洗石英基片、镀阻挡膜、双面蚀刻、湿法腐蚀、凸台光刻、凸台腐蚀、频率微调。将石英基片加工后得到的石英晶片用石英晶片尺寸测量仪进行测量，测得晶片长度标准差σ为1.10μm，晶片宽度标准差σ为1.52μm，以上指标达到加工尺寸精度σ2μm的工艺目标要求产品。

本发明授权一种压电水晶光刻腐蚀工艺在权利要求书中公布了：1.一种压电水晶光刻腐蚀工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1.清洗石英基片：将石英基片经过清洗、脱水烘干，待用； S2.镀阻挡膜：在步骤S1清洗干净后的石英基片双面磁控溅射镀CrAu薄膜； S3.双面蚀刻：将双面镀膜后的石英基片，双面涂覆负性光刻胶，使用双面蚀刻机对石英基片双面进行套刻对准曝光，制作湿法腐蚀所需要的图形，双面蚀刻图形经过检查后，使用碘与碘化钾混合溶液蚀刻Au金属，蚀刻时间控制在3min，再使用硝酸铈铵、冰乙酸混合溶液蚀刻Cr金属，蚀刻时间控制在2min； S4.湿法腐蚀：把步骤S3处理后的石英基片单独隔片装入专用腐蚀治具，在腐蚀液中进行石英材料的双面蚀刻； S5.凸台光刻：湿法腐蚀后，石英晶片尺寸加工完成，去除石英晶片上的负性光刻胶，然后重新双面涂覆制作光刻胶层，使用光刻机对石英基片双面对准曝光，制作凸台光刻图形及晶片裂片槽图形，依次使用Au金属蚀刻液及Cr金属蚀刻液将未被光刻胶保护的金属阻挡膜去除，露出需要腐蚀的区域； S6.凸台腐蚀：再次把石英基片单独隔片装入专用腐蚀治具中，整体全部放入腐蚀液进行第二次石英双面蚀刻，腐蚀液温度较步骤S4湿法腐蚀温度低，通过腐蚀控制凸台高度，石英蚀刻结束后，去除表面光刻胶层，使用Au金属蚀刻液、Cr金属蚀刻液去除阻挡金属层，使用裂片机将石英晶片从石英基片上分离； S7.频率微调：将石英晶片散片放入石英晶片分选机，对石英晶片频率进行分档测试，对不同分档频率的石英晶片使用NH4F腐蚀液进行微调腐蚀，腐蚀后收窄批量石英晶片频率散差。

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