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龙图腾网获悉河北美泰电子科技有限公司申请的专利基于倒装焊工艺的压力传感器的制备方法及压力传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119349503B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411919728.4，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权基于倒装焊工艺的压力传感器的制备方法及压力传感器是由杨拥军;何洪涛;王伟忠;许朝阳设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于倒装焊工艺的压力传感器的制备方法及压力传感器在说明书摘要公布了：本申请适用于半导体器件技术领域，提供了一种基于倒装焊工艺的压力传感器的制备方法及压力传感器，该方法包括在衬底上生长氧化层；在氧化层上设置敏感薄膜层；敏感薄膜层设置有压敏电阻；在敏感薄膜层上设置布线层；在布线层上设置硅盖片层；硅盖片层的腔体上设置有不同高度和不同位置的止挡结构；硅盖片层与敏感薄膜层、布线层围成封闭空腔结构；止挡结构被包围在封闭空腔结构内；在硅盖片层进行刻蚀硅通孔，并应用重分布层工艺来连接硅通孔和布线层；在硅盖片层上设置阻焊层；刻蚀衬底的背面，形成压力敏感腔。本申请既能有效保护构件结构，又能保持或提高响应频率和灵敏度的保护方法，以满足高动态性能的需求。

本发明授权基于倒装焊工艺的压力传感器的制备方法及压力传感器在权利要求书中公布了：1.一种基于倒装焊工艺的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述压力传感器为动压传感器；所述方法包括： 在衬底上生长氧化层； 在所述氧化层上设置敏感薄膜层；所述敏感薄膜层设置有压敏电阻； 在所述敏感薄膜层上设置布线层； 在所述布线层上设置硅盖片层；所述硅盖片层的腔体上设置有不同高度和不同位置的止挡结构；所述硅盖片层与所述敏感薄膜层、所述布线层围成封闭空腔结构；所述止挡结构被包围在所述封闭空腔结构内；所述在所述布线层上设置硅盖片层，包括：根据所述敏感薄膜层的不同区域的变形程度，确定止挡结构的预设位置；通过自对准工艺，在所述预设位置分步刻蚀所述硅盖片层，形成不同高度的止挡结构，匹配所述敏感薄膜层的不同区域的变形程度，其中，在所述硅盖片层的腔体的中间区域设置的止挡结构高度小于在两侧设置的止挡结构高度；将具有所述止挡结构的硅盖片层与所述布线层键合； 在硅盖片层进行刻蚀硅通孔，并应用重分布层工艺来连接所述硅通孔和所述布线层； 在所述硅盖片层上设置阻焊层； 刻蚀所述衬底的背面，形成压力敏感腔。

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