上海华虹宏力半导体制造有限公司高斌获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利改善离子注入屏障层均匀性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119361421B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411312730.5，技术领域涉及：H01L21/266；该发明授权改善离子注入屏障层均匀性的方法是由高斌;尹振忠;熊淑平;余健魁设计研发完成，并于2024-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善离子注入屏障层均匀性的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善离子注入屏障层均匀性的方法，提供衬底，衬底上包括功率器件的元胞区和ESD器件区，在功率器件的元胞区上形成栅极结构；在衬底和栅极结构上形成第一氧化层，在第一氧化层上形成刻蚀停止层，之后在刻蚀停止层上形成第二氧化层；在第二氧化层上形成多晶硅层，对多晶硅层进行离子注入，利用光刻、刻蚀的方法形成ESD器件区上的ESD结构，之后进行ESD器件区的退火；去除裸露的第二氧化层及其下方的刻蚀停止层；刻蚀裸露的第一氧化层以减薄厚度，使得保留在栅极结构上表面的第一氧化层作为保护层，保留在衬底上的第一氧化层作为离子注入屏障层；利用离子注入形成功率器件的元胞区的体区。本发明的离子注入屏障层的厚度均匀性得到提升。
本发明授权改善离子注入屏障层均匀性的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善离子注入屏障层均匀性的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供衬底，所述衬底上包括功率器件的元胞区和ESD器件区，在所述功率器件的元胞区上形成栅极结构； 步骤二、利用热氧化的方法在所述衬底和所述栅极结构上形成第一氧化层，在所述第一氧化层上形成刻蚀停止层，之后在所述刻蚀停止层上形成第二氧化层； 步骤三、在所述第二氧化层上形成多晶硅层，对所述多晶硅层进行离子注入，利用光刻、刻蚀的方法形成ESD器件区上的ESD结构，之后进行ESD器件区的退火； 步骤四、去除裸露的所述第二氧化层及其下方的所述刻蚀停止层； 步骤五、刻蚀裸露的所述第一氧化层以减薄厚度，使得保留在所述栅极结构上表面的所述第一氧化层作为保护层，保留在所述衬底上的所述第一氧化层作为离子注入屏障层； 步骤六、利用离子注入形成功率器件的元胞区的体区。
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