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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种STI离子注入的抗辐照双极器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364784B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411463076.8，技术领域涉及：H10D10/60；该发明授权一种STI离子注入的抗辐照双极器件及其制备方法是由葛超洋;李燕妃;谢儒彬;徐大为;丁兵设计研发完成，并于2024-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种STI离子注入的抗辐照双极器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种STI离子注入的抗辐照双极器件及其制备方法，属于双极器件抗辐射加固技术领域。本发明提供的双极器件抗辐照加固方法中，在双极器件制备工艺做完STI刻蚀、STI填充、STICMP后对STI结构进行离子注入，注入的离子为氟离子、氯离子、溴离子、碘离子或砷离子。通过离子注入改变STI氧化层中的离子种类和浓度，可以大大减少总剂量辐照后STI氧化物俘获正电荷和界面态的影响，提升双极器件的抗辐照能力。

本发明授权一种STI离子注入的抗辐照双极器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种STI离子注入的抗辐照双极器件，其特征在于，包括由下至上依次设置的第一导电类型衬底1、第二导电类型埋层2和第二导电类型集电极深阱区3，所述第二导电类型集电极深阱区3四周边缘上方设置有第二导电类型集电极阱区4，所述第二导电类型集电极阱区4上方设置第二导电类型集电极注入区5，第二导电类型集电极深阱区3内部上方设置第一导电类型基极深阱区6，第一导电类型基极深阱区6四周边缘上方设置第一导电类型基极阱区7，第一导电类型基极阱区7上方设置第一导电类型基极注入区8，第一导电类型基极深阱区6内部上方设置第二导电类型发射极阱区9，第二导电类型发射极阱区9上方设置第二导电类型发射极注入区10，第二导电类型发射极注入区10和第一导电类型基极注入区8之间且位于第一导电类型基极深阱区6上方设置离子注入STI隔离结构11，第一导电类型基极注入区8和第二导电类型集电极注入区5之间设置离子注入STI隔离结构11，第二导电类型集电极注入区5外侧且位于第二导电类型集电极深阱区3四周边缘上方设置离子注入STI隔离结构11；离子注入STI隔离结构11内部填充的材料为SiO2或叠层结构，且经过掺杂离子注入。

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