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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种针对强磁脉冲环境下增强芯片可靠性的电源网络优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119378316B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411456015.9，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种针对强磁脉冲环境下增强芯片可靠性的电源网络优化方法是由孟凡鑫;刘毅;徐长卿;廖新芳;何越;廖进福设计研发完成，并于2024-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种针对强磁脉冲环境下增强芯片可靠性的电源网络优化方法在说明书摘要公布了：本申请属于芯片电源网络技术领域。本申请提供一种针对强磁脉冲环境下增强芯片可靠性的电源网络优化方法。本公开实施例基于芯片的设计条件，利用EDA工具设计芯片，得到初始电源网络。尽可能的使供初始电源网络自身形成闭合的环路；尽量使得不同金属层的通孔在同一垂直线，将开环结构转化为L型结构；在满足供电需求的情况下，适当的增加冗余的金属线条；通过多折结构减小磁通量积分面积，得到目标电源网络。扩展了提高芯片抗磁干扰能力的范围，考虑了外部磁场对芯片电源网络的影响，针对强磁脉冲环境下的芯片设计，提供了可靠性优化方案。

本发明授权一种针对强磁脉冲环境下增强芯片可靠性的电源网络优化方法在权利要求书中公布了：1.一种针对强磁脉冲环境下增强芯片可靠性的电源网络优化方法，其特征在于，该方法包括： 基于芯片的设计条件，利用EDA工具设计芯片，以得到芯片的初始电源网络；其中，在芯片的多层金属网络中，存在环状结构和树状结构，最上面两层的初始电源网络以及多层金属之间由通孔连接到一起的供电线路为树状结构，多层金属通过过孔连接之后最终连接到功能单元的供电线路为环状结构；初始电源网络通过过孔连接不同层的金属，使得树状结构转化为环状结构；过孔的位置将初始电源网络结构中连接四条金属线的过孔位于同一垂直线上，使得四条金属线形成了L型结构； 对所述初始电源网络进行第一DRC检查，若通过，则依次使用策略一、策略二和策略三对所述初始电源网络进行优化；其中，所述优化策略包括：策略一：使所述电源网络自身形成的环路趋于闭合；策略二：在所述电源网络中增加预设数量的冗余的金属线条；策略三：所述电源网络中使用多折结构，以减小积分面积；其中，在多折结构中增加折角数量；若未通过，则根据所述第一DRC检查的报错信息对所述初始电源网络进行修正；对修正后的所述初始电源网络进行所述第一DRC检查； 对优化后的所述初始电源网络进行第二DRC检查，若通过，则得到目标电源网络；若未通过，则根据所述第二DRC检查的报错信息对优化后的所述初始电源网络进行修正；对修正后的优化所述初始电源网络进行所述第二DRC检查。

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