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龙图腾网获悉新存科技(武汉)有限责任公司申请的专利相变存储器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119383984B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411278698.3，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权相变存储器及其形成方法是由马国铭;张恒;马林;刘峻设计研发完成，并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本相变存储器及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种相变存储器及其形成方法，所述相变存储器包括：第一导电线、第二导电线和在第一方向上位于所述第一导电线与所述第二导电线之间的存储单元；所述存储单元沿所述第一方向延伸；所述第一导电线沿第二方向延伸，并与沿所述第二方向排布的多个所述存储单元连接；所述第二导电线沿第三方向延伸，并与沿所述第三方向排布的多个所述存储单元连接；所述第二方向与所述第三方向相交，且均与所述第一方向垂直；第一隔离结构，所述第一隔离结构位于在所述第三方向上相邻的两个所述存储单元之间，并位于分别与所述在所述第三方向上相邻的两个所述存储单元连接的所述第一导电线之间；所述第一隔离结构的热导率的范围为0.08Wm·K至0.12Wm·K。

本发明授权相变存储器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种相变存储器，其特征在于，包括： 第一导电线、第二导电线和在第一方向上位于所述第一导电线与所述第二导电线之间的存储单元；所述存储单元沿所述第一方向延伸；所述第一导电线沿第二方向延伸，并与沿所述第二方向排布的多个所述存储单元连接；所述第二导电线沿第三方向延伸，并与沿所述第三方向排布的多个所述存储单元连接；所述第二方向与所述第三方向相交，且均与所述第一方向垂直； 第一隔离结构，所述第一隔离结构位于在所述第三方向上相邻的两个所述存储单元之间，并位于分别与所述在所述第三方向上相邻的两个所述存储单元连接的所述第一导电线之间；所述第一隔离结构的热导率的范围为0.08Wm·K至0.12Wm·K； 第二隔离结构，所述第二隔离结构位于在所述第二方向上相邻的两个所述存储单元之间，并位于分别与所述在所述第二方向上相邻的两个所述存储单元连接的所述第二导电线之间；所述第二隔离结构的热导率大于所述第一隔离结构的热导率。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新存科技(武汉)有限责任公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B4栋18楼534(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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