中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司卢占杰获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利光电传感器测试结构、形成方法及测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119400779B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310922840.2，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权光电传感器测试结构、形成方法及测试方法是由卢占杰;王志高设计研发完成，并于2023-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电传感器测试结构、形成方法及测试方法在说明书摘要公布了：一种光电传感器测试结构、形成方法及测试方法，包括：衬底，衬底包括第一测试区、第二测试区以及位于第一测试区和第二测试区之间的器件区，衬底包括相对的第一面和第二面；位于器件区内的若干光电掺杂区和电荷收集区，若干光电掺杂区之间以及电荷收集区和光电掺杂区之间相互分立，且第一面暴露出光电掺杂区；位于第一测试区的第一测试结构；位于第二测试区的第二测试结构；位于光电掺杂区之间以及电荷收集区和光电掺杂区之间的若干隔离结构，隔离结构包括屏蔽层；位于第一面表面的第一互连结构，位于第一面表面的第二互连结构，位于第二面表面的第三互连结构。所述测试结构能够测试出界面态表征数据。
本发明授权光电传感器测试结构、形成方法及测试方法在权利要求书中公布了：1.一种光电传感器测试结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括第一测试区、第二测试区以及位于所述第一测试区和第二测试区之间的器件区，所述衬底包括相对的第一面和第二面； 位于器件区内的若干光电掺杂区和电荷收集区，若干光电掺杂区之间以及所述电荷收集区和光电掺杂区之间相互分立，且所述第一面暴露出所述光电掺杂区； 位于第一测试区的第一测试结构； 位于第二测试区的第二测试结构； 位于光电掺杂区之间以及所述电荷收集区和光电掺杂区之间的若干隔离结构，所述隔离结构包括屏蔽层； 位于所述第一面表面的第一互连结构，所述第一互连结构分别与所述电荷收集区以及所述第一测试结构电连接； 位于所述第一面表面的第二互连结构，所述第二互连结构分别与所述光电掺杂区以及所述第二测试结构电连接； 位于所述第二面表面的第三互连结构，所述第三互连结构分别与所述屏蔽层和所述电荷收集区电连接。
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