华南理工大学林容周获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利基于粒子吞噬效应的软电子器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403052B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411389670.7，技术领域涉及：H05K3/12；该发明授权基于粒子吞噬效应的软电子器件及其制备方法是由林容周;谢新;刘磊设计研发完成，并于2024-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于粒子吞噬效应的软电子器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及基于粒子吞噬效应的软电子器件及其制备方法，制备方法包括以下步骤，S1、将镂空掩模板贴附于聚合物基底，控制可被打印聚合物基底的位置；S2、将微纳米粒子均匀分散在掩模板上，微纳米粒子在镂空掩膜板的镂空处与聚合物基底接触；S3、微纳米粒子接触到聚合物基底后，通过粒子吞噬效应逐渐进入聚合物基底，形成功能复合材料；S4、移除镂空掩模板形成软电子器件。本发明在软聚合物基质中直接印刷微纳米材料，不需要引入溶剂，避免了化学非兼容性和复杂流体动力学行为。利用表面能驱动的粒子吞噬现象，实现材料的深度嵌入，自发产生，不需要额外引入能量。能够将不同材料无缝集成到高性能弹性电子设备中。通过多层吞噬印刷技术，创建多材料无线电子设备，能够实现分层印刷。
本发明授权基于粒子吞噬效应的软电子器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.基于粒子吞噬效应的软电子器件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤， S1、将镂空掩模板贴附于聚合物基底，控制可被打印聚合物基底的位置； S2、将微纳米粒子均匀分散在镂空掩模板上，微纳米粒子在镂空掩膜板的镂空处与聚合物基底接触； S3、微纳米粒子接触到聚合物基底后，通过粒子吞噬效应逐渐进入聚合物基底，形成功能复合材料； S4、移除掩模板，形成软电子器件。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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