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龙图腾网获悉广州广芯封装基板有限公司申请的专利封装基板的检测方法、电子设备及计算机可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119413823B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411398306.7，技术领域涉及：G01N23/203；该发明授权封装基板的检测方法、电子设备及计算机可读存储介质是由李玉龙;徐嘉伟;熊佳;魏炜;张化宇设计研发完成，并于2024-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本封装基板的检测方法、电子设备及计算机可读存储介质在说明书摘要公布了：本申请公开了一种封装基板的检测方法、电子设备及计算机可读存储介质。其中，方法包括：从封装基板中获取具有盲孔结构的待测样品；盲孔结构的盲孔底部至少包括第一金属层与第二金属层；沿着垂直待测样品的横截面，利用离子束对第一金属层与第二金属层之间的晶界处进行研磨，形成待测样品的横截面上的凹槽；利用电子束对凹槽进行背散射衍射，获得盲孔底部对应的晶粒衍射图像，以及获取表征晶界处的横截面形貌图像；结合晶粒衍射图像和横截面形貌图像进行分析，得到表征盲孔底部的微观结构信息，可以有效表征封装基板盲孔底部的不同铜层的晶界处和微观结构，进而用于封装基板盲孔底部的无损伤结构表征和性能分析。

本发明授权封装基板的检测方法、电子设备及计算机可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种封装基板的检测方法，其特征在于，所述的检测方法包括： 从封装基板中获取具有盲孔结构的待测样品；所述盲孔结构的盲孔底部至少包括第一金属层与第二金属层； 沿着垂直所述待测样品的横截面，利用离子束对所述第一金属层与第二金属层之间的晶界处进行研磨，形成所述待测样品的横截面上的凹槽； 利用电子束对所述凹槽进行背散射衍射，获得所述盲孔底部对应的晶粒衍射图像，以及获取表征所述晶界处的横截面形貌图像； 结合所述晶粒衍射图像和所述横截面形貌图像进行分析，得到表征所述盲孔底部的微观结构信息； 其中，所述沿着垂直所述待测样品的横截面，利用离子束对所述第一金属层与第二金属层之间的晶界处进行研磨，形成所述待测样品的横截面上的凹槽，包括： 获取所述电子束的照射方向与所述待测样品的横截面的倾斜方向之间的固定夹角； 结合预设垂直角和所述固定夹角，确定所述凹槽两侧边线的相对角度，使得所述相对角度的12等于或大于所述电子束相对所述凹槽的入射角； 沿着所述晶界处，控制所述待测样品的横截面进行水平旋转，以利用所述离子束基于预设离子研磨参数对所述晶界处进行研磨，形成所述待测样品的横截面上的凹槽。

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