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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种改善双极器件总剂量辐射效应的器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421424B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411463086.1，技术领域涉及：H10D10/60；该发明授权一种改善双极器件总剂量辐射效应的器件及其制备方法是由葛超洋;姚正;谢儒彬;李燕妃;沈秋设计研发完成，并于2024-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善双极器件总剂量辐射效应的器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种改善双极器件总剂量辐射效应的器件及其制备方法，属于半导体器件抗辐射加固技术领域。本发明在传统双极器件第一导电类型基极深阱区中形成浓度更高的第一导电类型基极埋层阱区，使得基区电流路径从紧贴着浅槽隔离结构下表面变为与浅槽隔离结构之间存在一定的距离，更倾向于沿着电阻更小的第一导电类型基极埋层阱区流向第二导电类型发射极阱区，从而远离SiO2‑Si表面缺陷，弱化表面复合，减小过剩基极电流的产生。本发明可有效降低双极器件总剂量辐射后的过剩基极电流，降低电流增益损伤的程度，提升双极器件的抗辐照能力。

本发明授权一种改善双极器件总剂量辐射效应的器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种改善双极器件总剂量辐射效应的器件，其特征在于，包括由下至上依次设置的第一导电类型衬底1、第二导电类型埋层2、第二导电类型集电极深阱区3，第二导电类型集电极深阱区3内部上方设置有第一导电类型基极深阱区6，第一导电类型基极深阱区6内部设置第一导电类型基极埋层阱区7，第一导电类型基极埋层阱区7将第一导电类型基极深阱区6分隔成上下两个部分； 第二导电类型集电极阱区3的四周边缘上方设置第二导电类型集电极阱区4，第二导电类型集电极阱区4上方设置第二导电类型集电极注入区5，第二导电类型集电极注入区5面积小于第二导电类型集电极阱区4； 第一导电类型基极深阱区6的四周边缘上方设置第一导电类型基极阱区8，第一导电类型基极阱区8的下表面与第一导电类型基极埋层阱区7的上表面形成电学接触，第一导电类型基极阱区8的上方设置第一导电类型基极注入区9，第一导电类型基极注入区9面积小于第一导电类型基极阱区8； 第一导电类型基极深阱区6内部上方设有第二导电类型发射极阱区10，第二导电类型发射极阱区10的下表面与第一导电类型基极埋层阱区7的上表面形成电学接触，第二导电类型发射极阱区10上方设置第二导电类型发射极注入区11，第二导电类型发射极注入区11面积小于第二导电类型发射极阱区10； 第二导电类型发射极注入区11与第一导电类型基极注入区9之间、第一导电类型基极注入区9和第二导电类型集电极注入区5之间分别通过STI浅槽隔离结构12进行电学隔离，第二导电类型集电极注入区5外侧通过STI浅槽隔离结构与其他器件进行电学隔离。

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