华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司程国庆获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利浮栅的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119446908B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411498370.2，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权浮栅的形成方法是由程国庆;周海洋;王会一;沈权豪设计研发完成，并于2024-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本浮栅的形成方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种浮栅的形成方法，包括：提供一衬底，该衬底用于形成器件的区域包括第一区域和第二区域，第一区域用于形成闪存单元器件，第二区域用于形成逻辑器件，第一区域中形成有第一沟槽，第二区域中形成有第二沟槽，第一区域中除第一沟槽外的衬底上依次形成有浮栅介质层和第一刻蚀阻挡层，第二区域中除第二沟槽外的衬底上依次形成有栅介质层和第二刻蚀阻挡层，第一刻蚀阻挡层的厚度大于第二刻蚀阻挡层的厚度；形成隔离介质层，该隔离介质层填充第一沟槽和第二沟槽同时使第一刻蚀阻挡层暴露，且使第二刻蚀阻挡层被覆盖；去除第一刻蚀阻挡层，在第一刻蚀阻挡层的区域形成第三沟槽；在第三沟槽中形成浮栅。
本发明授权浮栅的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种浮栅的形成方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底上用于形成器件的区域包括第一区域和第二区域，所述第一区域用于形成闪存单元器件，所述第二区域用于形成逻辑器件，所述第一区域中形成有第一沟槽，所述第二区域中形成有第二沟槽，所述第一区域中除第一沟槽外的衬底上依次形成有浮栅介质层和第一刻蚀阻挡层，所述第二区域中除第二沟槽外的衬底上依次形成有栅介质层和第二刻蚀阻挡层，所述第一刻蚀阻挡层的厚度大于所述第二刻蚀阻挡层的厚度； 通过CVD工艺沉积隔离介质层填充所述第一沟槽和所述第二沟槽； 通过平坦化工艺对所述隔离介质层进行平坦化，直至所述第一刻蚀阻挡层暴露，通过控制平坦化工艺的进程使所述第一刻蚀阻挡层暴露的同时使所述第二刻蚀阻挡层被所述隔离介质层覆盖； 去除所述第一刻蚀阻挡层，在所述第一刻蚀阻挡层的区域形成第三沟槽，所述第二区域被所述隔离介质层覆盖不被刻蚀； 在所述第三沟槽中形成浮栅。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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