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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利存储器及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451096B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310979886.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器及其制备方法、电子设备是由张鑫;田超;平延磊设计研发完成，并于2023-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种存储器及其制备方法、电子设备。该制备方法包括：提供衬底；于衬底的上表面形成堆叠结构，堆叠结构包括多个沿第一方向及第二方向间隔排布的第一堆叠结构，各第一堆叠结构均包括由下至上依次交替叠置的牺牲层及导电层；第一方向和第二方向均平行于衬底且第一方向和第二方向之间相交；刻蚀第一堆叠结构内的各层导电层，将各层导电层部分去除，以形成第一间隙；于第一间隙内形成第一电极，第一电极覆盖第一间隙的表面；形成电容介质层，电容介质层至少覆盖第一电极的表面；于电容介质层的表面形成第二电极。该制备方法可以增加电容面积进而增加电容容量，以及可以降低金属功函数及接触电阻，从而可以提高存储器的性能。

本发明授权存储器及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供衬底； 于所述衬底的上表面形成堆叠结构，所述堆叠结构包括多个沿第一方向及第二方向间隔排布的第一堆叠结构，各所述第一堆叠结构均包括由下至上依次交替叠置的牺牲层及导电层；所述第一方向和所述第二方向均平行于所述衬底且所述第一方向和所述第二方向之间相交； 于所述第一堆叠结构内形成释放孔，所述释放孔沿厚度方向贯穿所述第一堆叠结构； 基于所述释放孔刻蚀所述第一堆叠结构内的各层所述导电层，将各层所述导电层部分去除，以形成第一间隙； 于所述第一间隙内形成第一电极，所述第一电极覆盖所述第一间隙的表面； 刻蚀所述第一堆叠结构内的各层所述牺牲层，将各层所述牺牲层部分去除，以形成第二间隙；所述第二间隙沿所述第一方向的长度小于所述第一间隙沿所述第一方向的长度； 至少于所述释放孔内、所述第一间隙内及所述第二间隙内形成电容介质层，所述电容介质层至少覆盖所述第一电极的表面、所述释放孔的内壁及所述第二间隙的表面； 于所述电容介质层的表面形成第二电极。

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