上海积塔半导体有限公司连世坤获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种薄膜沉积的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119465081B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411578800.1，技术领域涉及：C23C16/44；该发明授权一种薄膜沉积的方法是由连世坤设计研发完成，并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种薄膜沉积的方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种薄膜沉积的方法，在预定温度下每次沉积在晶舟表面以及炉管表面的第一薄膜都进行650℃的退火处理，使晶舟表面以及炉管表面的第一薄膜的应力趋于0，可有效消除应力累计。重复的沉积与退火处理，直至晶舟表面以及炉管表面的薄膜沉积至第一预定厚度,对该沉积至第一预定厚度的晶舟表面以及炉管表面的第一薄膜进行一次第二薄膜的沉积，第二薄膜与第一薄膜应力相反，达到中和应力的作用，且该第二薄膜为粗糙度更大的多晶硅，提升后续晶舟表面以及炉管表面的薄膜沉积的附着力。本申请原理简单，以此重复操作得到的晶舟表面以及炉管表面的薄膜应力降低，附着力升高，减少预期保养的频率。
本发明授权一种薄膜沉积的方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜沉积的方法，其特征在于，包括： 步骤1，在预定温度范围下对在炉管内晶舟上的晶圆进行薄膜沉积，沉积至第一预定厚度得到第一薄膜，所述预定温度范围为550℃～610℃； 步骤2，对所述炉管表面以及晶舟表面上的所述第一薄膜进行650℃的退火； 步骤3，重复上述步骤直至所述炉管表面以及晶舟表面上的所述第一薄膜的沉积累计厚度达到第二预定厚度值； 步骤4，在所述炉管表面以及晶舟表面上的所述第一薄膜上沉积第二薄膜，所述第二薄膜与所述第一薄膜的应力相反； 步骤5，重复步骤1～4直至确定所述炉管表面以及晶舟表面上的所述第一薄膜和所述第二薄膜的沉积累计厚度达到第三预定厚度值，得到附着薄膜的晶舟以及炉管。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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