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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利宽带接收射频前端结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119483619B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411534784.6，技术领域涉及：H04B1/10；该发明授权宽带接收射频前端结构是由戴若凡设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本宽带接收射频前端结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种宽带接收射频前端结构，当电源控制模块输出为电源电压Vdd，输出偏置控制模块输出为电源电压Vdd，输入偏置模块输出为偏置电压Vb，接地控制模块输出为接地端GND，为低噪声放大器工作模式；当电源控制模块输出为接地端GND，输出偏置控制模块输出为电源电压Vdd，输入偏置模块输出为电源电压Vdd，接地控制模块输出为接地端GND，为直通开关接收工作模式；当电源控制模块输出为电源电压Vdd，输出偏置控制模块输出为接地端GND，输入偏置模块输出为接地端GND，接地控制模块输出为电源电压Vdd，宽带接收射频前端结构为分集接收开关关断工作模式。本发明能够改善系统复杂度、节省空间与成本，优化功耗及射频信号链路径改善插损与噪声特性。

本发明授权宽带接收射频前端结构在权利要求书中公布了：1.一种宽带接收射频前端结构，其特征在于，包括： 输入MOS管、输出MOS管，输入MOS管的漏极与所述输出MOS管的源极连接； 输入MOS管的源极连接有第一电感，输出MOS管的漏极连接有第二电感，射频输入信号RFin通过第一输入匹配网络接入输入MOS管的源极和第一电感的第一端之间，输出MOS管的漏极与第二电感的第一端之间接有第二输入匹配网络； 电源控制模块、输入偏置模块、输出偏置控制模块、接地控制模块；其中， 电源控制模块根据控制信号选择电源电压Vdd或接地端GND与第二电感的第二端连接； 输出偏置控制模块根据控制信号选择电源电压Vdd或接地端GND通过第一偏置与输出MOS管的栅极连接； 输入偏置模块根据控制信号选择电源电压Vdd、偏置电压Vb或接地端GND通过第二偏置与输入MOS管的栅极连接； 接地控制模块根据控制信号选择电源电压Vdd或接地端GND与第一电感的第二端连接； 当电源控制模块输出为电源电压Vdd，输出偏置控制模块输出为电源电压Vdd，输入偏置模块输出为电压Vb，接地控制模块输出为接地端GND，宽带接收射频前端结构为低噪声放大器工作模式； 当电源控制模块输出为接地端GND，输出偏置控制模块输出为电源电压Vdd，输入偏置模块输出为电源电压Vdd，接地控制模块输出为接地端GND，宽带接收射频前端结构为直通开关接收工作模式； 当电源控制模块输出为电源电压Vdd，输出偏置控制模块输出为接地端GND，输入偏置模块输出为接地端GND，接地控制模块输出为电源电压Vdd，宽带接收射频前端结构为分集接收开关关断工作模式。

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