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龙图腾网获悉华海清科股份有限公司申请的专利晶圆抛光方法及设备、数据处理设备、程序、存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119501806B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411538308.1，技术领域涉及：B24B37/20；该发明授权晶圆抛光方法及设备、数据处理设备、程序、存储介质是由路新春;王列;彭传华;毛腾;靳富设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆抛光方法及设备、数据处理设备、程序、存储介质在说明书摘要公布了：本发明涉及晶圆抛光方法及设备、数据处理设备、程序、存储介质。所述抛光方法包括：装载待抛光的晶圆；读入第一抛光配方，依照其对晶圆进行初级抛光；检测晶圆的全部分区的晶圆参数，判断晶圆的全部分区的晶圆参数是否都达标，都达标则卸载晶圆、未都达标则通过动态调整模型根据晶圆参数得到第二抛光配方，基于第二抛光配方对晶圆的未达标的分区进行二级抛光，然后返回重新检测晶圆的分区的晶圆参数，直到判断晶圆的全部分区的晶圆参数都达标，卸载抛光完毕的晶圆。本发明能够在晶圆抛光过程中实现多区自动触发以时间‑压力自动联合调节的返工功能，避免了对整个晶圆进行重复处理，降低了材料消耗和成本。

本发明授权晶圆抛光方法及设备、数据处理设备、程序、存储介质在权利要求书中公布了：1.一种晶圆化学机械抛光方法，其特征在于，所述抛光方法包括： 步骤I：装载待抛光的晶圆； 步骤II：读入第一抛光配方，依照所述第一抛光配方对所述晶圆进行初级抛光，通过终点检测技术抓停所述初级抛光； 步骤III：检测所述晶圆的全部分区的晶圆参数，判断所述晶圆的全部所述分区的所述晶圆参数是否都达标，全部所述分区的所述晶圆参数达标则前进到步骤V，全部所述分区或者部分所述分区的所述晶圆参数未达标则前进到步骤IV； 步骤IV：通过动态调整模型根据全部所述分区的晶圆参数得到第二抛光配方，基于所述第二抛光配方对所述晶圆的未达标的所述分区进行二级抛光，并返回到步骤III； 步骤V：卸载抛光完毕的所述晶圆，返回到步骤I； 所述动态调整模型包括晶圆的各个所述分区的抛光压力的计算模型，所述抛光压力的计算模型为： 其中，P[i]为抛光压力，Z[i]_Press为当前分区默认压力，PreZ[i]PointMax为Z[i]分区的晶圆参数最大值，i＝1,2,…,n，Target为目标晶圆参数值，n为晶圆的分区数量，k为经验系数，Thk_Offset_Spec为达标控制线，Step函数定义为Stepa,b,ca-bc为1,a-b≤c为0。

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