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龙图腾网获悉苏州镓耀半导体科技有限公司申请的专利一种超宽禁带氧化镓锂外延膜的外延生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119507044B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411470156.6，技术领域涉及：C30B29/22；该发明授权一种超宽禁带氧化镓锂外延膜的外延生长方法是由张义颖;李训鹏;何奇;雍晓龙设计研发完成，并于2024-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超宽禁带氧化镓锂外延膜的外延生长方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种超宽禁带氧化镓锂外延膜的外延生长方法，涉及半导体工艺技术领域，该方法在MOCVD设备的反应室处于第一温度区间的第一温度和处于第一压力区间的第一压力时，向所述反应室输入氧前驱体，对置于所述反应室的衬底材料进行预定时长的表面预处理；将所述反应室的温度调节至处于第二温度区间的第二温度和维持所述第一压力，基于预定的摩尔流量比向所述反应室同时输入锂前驱体、镓前驱体和氧前驱体进行化学气相沉积，在所述衬底材料表面生长P型氧化镓锂LiGa5O8外延膜。本申请可以在预定的衬底材料表面生长获得质量稳定、具有良好电导特性的超宽禁带P型氧化镓锂LiGa5O8外延膜。

本发明授权一种超宽禁带氧化镓锂外延膜的外延生长方法在权利要求书中公布了：1.一种超宽禁带氧化镓锂外延膜的外延生长方法，其特征在于，包括以下步骤： 在MOCVD设备的反应室处于第一温度区间的第一温度和处于第一压力区间的第一压力时，向所述反应室输入氧前驱体，对置于所述反应室的衬底材料进行预定时长的表面预处理； 将所述反应室的温度调节至处于第二温度区间的第二温度和维持所述第一压力，基于预定的摩尔流量比向所述反应室同时输入锂前驱体、镓前驱体和氧前驱体进行化学气相沉积，在所述衬底材料表面生长P型氧化镓锂LiGa5O8外延膜；其中，所述衬底材料包括蓝宝石、镓酸锂、硅、碳化硅、氧化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂中任一项，所述锂前驱体包括2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮锂、烷氧基锂、烷基锂、氨基锂中任一项，所述镓前驱体包括烷基镓，烷氧基镓中任一项，所述氧前驱体包括氧气、臭氧、笑气中任一项，所述第一温度区间包括400-800℃，所述第二温度区间包括800-1200℃，所述第一压力区间包括20-100mbar，所述锂前驱体与镓前驱体的摩尔流量比位于1:5至3:5的区间，所述锂前驱体、氧前驱体的摩尔流量比位于1:100至1:6000的区间或者所述镓前驱体、氧前驱体的摩尔流量比位于1:100至1:4000的区间。

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