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龙图腾网获悉中国科学院近代物理研究所申请的专利基于单层过渡金属硫族化合物的二维场效应晶体管模型及构建方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119514445B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411476810.4，技术领域涉及：G06F30/36；该发明授权基于单层过渡金属硫族化合物的二维场效应晶体管模型及构建方法是由韩维佳;赵承心;牛晓阳;杨海波;张洪林;李先勤;谢昊青设计研发完成，并于2024-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于单层过渡金属硫族化合物的二维场效应晶体管模型及构建方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体设备的设计与仿真领域，公开了一种基于单层过渡金属硫族化合物的二维场效应晶体管模型及构建方法，其包括：设定二维场效应晶体管的源端和漏端与二维材料为欧姆接触，构建二维场效应晶体管的电荷模型；根据电荷与电容的关系，基于电荷模型确定的电荷构建二维场效应晶体管内部包括量子电容和寄生电容的电容模型；确定二维晶体管各层之间的寄生电容，并将寄生电容组成的电路转变为静态电容网络，根据电容与电压的关系构建二维场效应晶体管的沟道电压模型；确定通用的沟道电流模型，并将沟道电压模型确定的电压与电容及电荷的关系，与通用的沟道电流模型相结合，得到最终的沟道电流模型。本发明能提高低功耗电子器件的性能和效率。

本发明授权基于单层过渡金属硫族化合物的二维场效应晶体管模型及构建方法在权利要求书中公布了：1.一种基于单层过渡金属硫族化合物的二维场效应晶体管模型构建方法，其特征在于，包括： 设定二维场效应晶体管的源端和漏端与二维材料为欧姆接触，构建二维场效应晶体管的电荷模型； 根据电荷与电容的关系，基于电荷模型确定的电荷构建二维场效应晶体管内部包括量子电容和寄生电容的电容模型； 确定二维晶体管各层之间的寄生电容，并将寄生电容组成的电路转变为静态电容网络，根据电容与电压的关系构建二维场效应晶体管的沟道电压模型； 确定通用的沟道电流模型，并将沟道电压模型确定的电压与电容及电荷的关系，与通用的沟道电流模型相结合，得到最终的沟道电流模型； 确定通用的沟道电流模型，包括： 假设二维晶体管沟道内部是漂移-扩散输运机制，通用的沟道电流模型为： 式中，为通用的沟道电流模型，W为栅宽，μ为空穴有效迁移率，Vcd为量子电容漏端电压降，Vcs为量子电容源端电压降，Qn为电子的电荷量，Vc为沟道电压，Vnx是NMOS在沟道x处的电势； 将沟道电压模型确定的电压与电容及电荷的关系，与通用的沟道电流模型相结合，得到最终的沟道电流模型，包括： 通过对沟道电压模型确定的沟道电压进行求导，以及电压与电容及电荷的关系，联立通用的沟道电流模型得到最终的沟道电流模型为： 式中，Ids为最终的沟道电流模型，Eg为禁带宽度，k为玻尔兹曼常量，T为室温温度，q为电子电荷，E0为中间能带，D0为有效质量，Ct为顶部氧化物电容，Cb为底部氧化物电容。

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