上海师范大学邵妍获国家专利权
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龙图腾网获悉上海师范大学申请的专利基于基片集成波导和基片集成同轴线的混合结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119518254B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411702651.5，技术领域涉及：H01P3/00；该发明授权基于基片集成波导和基片集成同轴线的混合结构是由邵妍;魏文杰设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于基片集成波导和基片集成同轴线的混合结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于基片集成波导和基片集成同轴线的混合结构，包括基片集成同轴线结构和基片集成波导结构；所述基片集成同轴线结构与所述基片集成波导结构水平并排布置或者上下层叠设置，所述基片集成同轴线结构与所述基片集成波导结构共用外导体。基片集成波导结构在高频段具有低损耗特性，适合TE10模式的高频信号传输；而基片集成同轴线结构支持低频段的TEM模式传输，适用于基带信号。本发明提供的混合结构能够在不同频段提供优质的传输路径，提升系统的效率和适用频率范围。
本发明授权基于基片集成波导和基片集成同轴线的混合结构在权利要求书中公布了：1.一种基于基片集成波导和基片集成同轴线的混合结构，其特征在于，包括基片集成同轴线结构和基片集成波导结构；所述基片集成同轴线结构与所述基片集成波导结构水平并排布置或者上下层叠设置；所述基片集成同轴线结构与所述基片集成波导结构共用外导体； 所述基片集成波导结构由上至下依次包括第一上层金属层、第一介质层和第一下层金属层，第一金属化通孔阵列嵌入于所述第一介质层中并连接所述第一上层金属层和所述第一下层金属层，所述第一金属化通孔阵列分为两列，所述基片集成波导结构通过所述第一金属化通孔阵列、所述第一上层金属层和所述第一下层金属层形成有效的波导边界； 所述基片集成同轴线结构由上至下依次包括第二上层金属层、第二介质层、内导体和第二下层金属层，第二金属化通孔阵列嵌入于所述第二介质层中，所述第二金属化通孔阵列分为两列并连接所述第二上层金属层和所述第二下层金属层；所述内导体位于两列所述第二金属化通孔阵列之间，所述内导体用于传输横电磁波模式，适合低频信号的传输。
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