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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种端面耦合器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119596450B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411731776.0，技术领域涉及：G02B6/12；该发明授权一种端面耦合器及其制造方法是由戴庭舸;王逸飞;王曰海;杨建义设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种端面耦合器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种端面耦合器及其制造方法，该端面耦合器包括第一波导、第二波导、第三波导、第四波导、第五波导和第六波导位，当外部光纤输出光信号至第一波导处时，第四波导对第一波导进行扩展，第五波导和第六波导对端面耦合器中传输的光信号沿上下方向进行演变，使沿光信号传输方向，光信号的模场逐渐集中分布到第一波导中后传输至第二波导中，减少光信号传输至第二波导的损耗，第四波导、第五波导和第六波导通过在下包层中采用刻蚀工艺形成凹槽后，再通过在凹槽中和下包层上沉积掺杂二氧化硅并进行化学机械抛光处理后形成，第一波导、第二波导和第三波导通过沉积后刻蚀形成；优点是具有低耦合损耗的同时，制造工艺简单。

本发明授权一种端面耦合器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种端面耦合器，包括上包层、下包层以及波导芯层，所述的上包层位于所述的下包层上方，所述的波导芯层设置在所述的上包层和所述的下包层之间，且被所述的上包层和所述的下包层包裹住，所述的波导芯层包括第一波导、第二波导和第三波导，所述的第一波导、所述的第二波导和所述的第三波导的材料均为掺杂二氧化硅，所述的第三波导为单模波导，所述的第一波导用于与外部光纤耦合，将外部光纤传输的光信号接入所述的端面耦合器，所述的第二波导用于对所述的端面耦合器中传输的光信号的模场在水平面内沿垂直于光信号传输方向进行演变，使光信号模式能够与所述的第三波导匹配，所述的第三波导用于输出光信号至后端光波导器件，其特征在于所述的波导芯层还包括第四波导、第五波导和第六波导，所述的第四波导、所述的第五波导和所述的第六波导的材料均为掺杂二氧化硅，所述的第四波导、所述的第五波导和所述的第六波导分别位于所述的第一波导下方，所述的第四波导用于对所述的第一波导进行扩展，减少所述的端面耦合器与外部光纤的模场失配，所述的第五波导和所述的第六波导用于对所述的端面耦合器中传输的光信号沿上下方向进行演变，使沿光信号传输方向，光信号的模场逐渐集中分布到所述的第一波导中，所述的第四波导、所述的第五波导和所述的第六波导通过在所述的下包层中采用刻蚀工艺形成凹槽后，再通过在凹槽中和下包层上沉积掺杂二氧化硅并进行化学机械抛光处理后形成，在所述的第四波导、所述的第五波导和所述的第六波导形成后，所述的第一波导、所述的第二波导和所述的第三波导通过在下包层、所述的第四波导、所述的第五波导和所述的第六波导上沉积掺杂二氧化硅形成掺杂二氧化硅层，并在掺杂二氧化硅层中对应位置保留与所述的第一波导、所述的第二波导和所述的第三波导形状相同部分，其他部分刻蚀掉形成。

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