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龙图腾网获悉深圳市时代速信科技有限公司申请的专利半导体器件和半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119601554B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411714001.2，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权半导体器件和半导体器件的制备方法是由林坤;曾耿豪设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件和半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括衬底、半导体外延层、电极层、源场板和导电块，半导体外延层包括第一沟道层、第一势垒层、第二沟道层和第二势垒层；电极层包括源电极、栅电极和漏电极，源场板设置在第二势垒层远离衬底的一侧；导电块设置在第一沟道层和第一势垒层之间；第一沟道层和第一势垒层之间形成与漏电极相绝缘的第一二维电子气，且导电块通过第一二维电子气电连接至源电极。相较于现有技术，本发明实施例通过额外设计导电块，可以屏蔽来源于外延、衬底的电场线，降低栅电极栅脚处的电场强度，避免阈值电压不稳定的现象，提升器件的稳定性，减少自激振荡现象。

本发明授权半导体器件和半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底110； 半导体外延层120，所述半导体外延层120包括依次层叠设置在所述衬底110上的第一沟道层121、第一势垒层122、第二沟道层123和第二势垒层124； 电极层130，所述电极层130包括源电极131、栅电极133和漏电极132，所述源电极131、所述栅电极133和所述漏电极132间隔设置在所述第二势垒层124远离所述衬底110的一侧； 源场板140，所述源场板140设置在所述第二势垒层124远离所述衬底110的一侧，并位于所述栅电极133和所述漏电极132之间； 导电块150，所述导电块150设置在所述第一沟道层121和所述第一势垒层122之间； 其中，所述第一沟道层121和所述第一势垒层122之间用于形成第一二维电子气160，所述半导体外延层120有源区125内的所述第二沟道层123和所述第二势垒层124之间形成第二二维电子气170，所述第一二维电子气160与所述漏电极132相绝缘，且所述导电块150通过所述第一二维电子气160电连接至所述源电极131。

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