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龙图腾网获悉华天科技(南京)有限公司申请的专利一种UMCP产品的封装结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119601567B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411349907.9，技术领域涉及：H01L25/065；该发明授权一种UMCP产品的封装结构及其制作方法是由王瑞鹏;刘卫东设计研发完成，并于2024-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种UMCP产品的封装结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种UMCP产品的封装结构，其降低了产品厚度，使得产品满足轻薄化需求。其包括：DRAM芯片组；NandFlash芯片组；FC主控芯片；第一基板；第二基板，其为载体基板；以及第一塑封体；FC主动芯片的底部BUMP焊接连接第一基板的上表面的中心区域，DRAM芯片组的底层芯片贴装到FC主控芯片的上表面，DRAM芯片组的每层DRAM芯片通过第一打线组连接到第一基板的对应上表面，第一基板的底部第一锡球焊接连接第二基板的上表面的一侧区域，NandFlash芯片组的底层芯片贴装到第二基板的上表面的另一侧区域，NandFlash芯片组每层的芯片通过第二打线组连接到第二基板的对应上表面，第一塑封体将DRAM芯片组、NandFlash芯片组、FC主控芯片、第一基板封装在第二基板的上表面。

本发明授权一种UMCP产品的封装结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种UMCP产品的封装结构，其特征在于，其包括： 层叠的DRAM芯片组； 层叠的NandFlash芯片组； FC主控芯片； 第一基板； 第二基板，其为载体基板； 以及第一塑封体； 所述FC主控芯片的底部BUMP焊接连接第一基板的上表面的中心区域，所述DRAM芯片组的底层芯片贴装到FC主控芯片的上表面，DRAM芯片组的每层DRAM芯片通过第一打线组连接到第一基板的对应上表面，所述第一基板的底部第一锡球焊接连接所述第二基板的上表面的一侧区域，所述NandFlash芯片组的底层芯片贴装到所述第二基板的上表面的另一侧区域，所述NandFlash芯片组每层的芯片通过第二打线组连接到第二基板的对应上表面，所述第一塑封体将DRAM芯片组、NandFlash芯片组、FC主控芯片、第一基板封装在第二基板的上表面； 其还包括第二塑封体，所述第二塑封体将DRAM芯片组、FC主控芯片封装于所述第一基板的上表面，其使得DRAM芯片组、FC主控芯片、第一基板预装成为组件。

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