买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利一种基于两步zeta电位调控的多晶金刚石化学机械抛光方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119609904B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411841870.1，技术领域涉及：B24B37/04；该发明授权一种基于两步zeta电位调控的多晶金刚石化学机械抛光方法是由魏俊俊;邹金鑫;冷王喆;张建军;陈良贤;刘金龙;李成明设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于两步zeta电位调控的多晶金刚石化学机械抛光方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于两步zeta电位调控的多晶金刚石化学机械抛光方法，涉及超硬材料超精密加工领域，包括机械抛光、化学机械抛光中zeta电位调控的粗抛、化学机械抛光中zeta电位调控的精抛、清洗，最终得到低损伤高质量表面的多晶金刚石。本发明通过调控精抛和粗抛中抛光液的zeta电位，能够降低抛光液中磨料对多晶金刚石的机械损伤和提高多晶金刚石抛光后的表面质量，从而实现多晶金刚石低损伤高质量加工。

本发明授权一种基于两步zeta电位调控的多晶金刚石化学机械抛光方法在权利要求书中公布了：1.一种基于两步zeta电位调控的多晶金刚石化学机械抛光方法，其特征在于，包括： 步骤S1、机械抛光 将多晶金刚石膜固定在石英板上，先配备好10-20μm粒径的金刚石液进行粗抛，然后再使用1-5μm粒径的金刚石液进行精抛； 步骤S2、zeta电位调控的粗抛 配置好含有硬磨料的抛光液A并调节抛光液A的zeta电位，使其与多晶金刚石膜的zeta电位差值范围在-80~-110mV，将机械抛光后的多晶金刚石膜放在聚氨酯抛光垫上进行抛光； 步骤S3、zeta电位调控的精抛 配置好含有软磨料的抛光液B并调节抛光液B的zeta电位，使其与多晶金刚石膜的zeta电位差值范围在-5~-30mV，将粗抛后的多晶金刚石膜放在绒布抛光垫上，继续对多晶金刚石膜进行精抛； 步骤S4、清洗 用丙酮、酒精、去离子水依次对抛光后的多晶金刚石膜进行清洗； 步骤S2中，抛光液A的成分包括K2FeO4、H2O2、CH3COOH、单晶金刚石粉和去离子水，其中K2FeO4含量为30-50gL，H2O2含量为20-60gL，CH3COOH含量为15-30gL，单晶金刚石粉的粒径为50-100nm、含量为70-100gL； 步骤S3中，抛光液B的成分包括SiO2、亚甲基双萘磺酸钠、聚乙二醇和去离子水，其中SiO2粉的粒径为10-60nm、含量为20-40gL，亚甲基双萘磺酸钠含量为1-5gL，聚乙二醇含量为30-60gL。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京科技大学，其通讯地址为：100083 北京市海淀区学院路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。