昆明理工大学孔令鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种从ITO废靶中回收氟化铟和氧化锡的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119612580B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411793944.9，技术领域涉及：C01G15/00；该发明授权一种从ITO废靶中回收氟化铟和氧化锡的方法是由孔令鑫;张嘉鹏;杨斌;徐宝强;蒋文龙;庞俭;徐俊杰设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种从ITO废靶中回收氟化铟和氧化锡的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种从ITO废靶中回收氟化铟和氧化锡的方法，属于氧化铟锡废靶回收技术领域。所述方法包括：采用氢氟酸对ITO废靶的粉末酸浸，得到酸浸浆料，所述酸浸浆料中含有氟化铟和氧化锡；将所述酸浸浆料进行真空蒸馏，分别得到含氟化铟气体和氧化锡固体；所述真空蒸馏的温度为1000～1100℃；所述真空蒸馏的真空度为5～20Pa；将所述氟化铟气体进行真空冷凝，得到氟化铟固体；所述冷凝的温度为700～800℃；所述氧化锡固体的纯度99.999％；所述真空冷凝得到的氟化铟纯度99.99％。本发明提供的方法能耗低、没有碳排放，成本低，附加值高，能够实现废料向高值材料的转化与回收。
本发明授权一种从ITO废靶中回收氟化铟和氧化锡的方法在权利要求书中公布了：1.一种从ITO废靶中回收氟化铟和氧化锡的方法，包括以下步骤： 采用氢氟酸对ITO废靶的粉末酸浸，得到酸浸浆料，所述酸浸浆料中含有氟化铟和氧化锡； 将所述酸浸浆料进行真空蒸馏，分别得到含氟化铟气体和氧化锡固体；所述真空蒸馏的温度为1000～1100℃；所述真空蒸馏的真空度为5～20Pa； 将所述氟化铟气体进行真空冷凝，得到氟化铟固体；所述冷凝的温度为700～800℃； 所述氧化锡固体的纯度99.999％；所述真空冷凝得到的氟化铟纯度99.99％。
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