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龙图腾网获悉深圳大学申请的专利一种低能电子照射光刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119620555B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411635896.0，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种低能电子照射光刻方法是由陈成;庄佳君;王佳伟;张植鑫;刁东风设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低能电子照射光刻方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种低能电子照射光刻方法，包括以下步骤：提供表面覆盖有聚合物薄膜的基片；将表面覆盖有聚合物薄膜的基片放置于电子回旋共振等离子体纳米表面加工系统的真空腔室中，在所述聚合物薄膜表面覆盖具有预设图案的掩模板，在所述掩膜板前设置光阑结构，进行电子照射处理；对电子照射处理后的基片在显影液中进行显影处理，在所述基片上得到所需图案；其中，所述电子照射处理采用远程等离子体，所述光阑结构的中心孔直径范围为0‑35mm，所述电子照射处理的照射电流为0.5‑5mA。本发明方法可精准调控低能电子照射区域和照射剂量，比高能电子作用面积大，加工效率高，能够解决现有光刻方法中生产效率较低的问题。

本发明授权一种低能电子照射光刻方法在权利要求书中公布了：1.一种低能电子照射光刻方法，其特征在于，所述低能电子照射光刻方法包括以下步骤： 提供表面覆盖有聚合物薄膜的基片； 将表面覆盖有聚合物薄膜的基片放置于电子回旋共振等离子体纳米表面加工系统的真空腔室中，在所述聚合物薄膜表面覆盖具有预设图案的掩模板，在所述掩模板前设置光阑结构，进行电子照射处理； 对电子照射处理后的基片在显影液中进行显影处理，在所述基片上得到所需图案； 其中，所述电子照射处理采用远程等离子体，所述光阑结构的中心孔直径范围为0-35mm，所述电子照射处理的照射电流为0.5-5mA； 将表面覆盖有聚合物薄膜的基片放置于电子回旋共振等离子体纳米表面加工系统的真空腔室中，在聚合物薄膜表面覆盖具有预设图案的掩模板，在所述掩模板前设置有光阑结构，进行电子照射处理的步骤，具体包括： 将表面覆盖有聚合物薄膜的基片放置于电子回旋共振等离子体纳米表面加工系统的真空腔室中的基片架上，在聚合物薄膜表面覆盖具有预设图案的掩模板，在所述掩模板前设置有光阑结构，并抽真空至预设值； 通入氩气，在微波和磁场的共同作用下，将所述氩气离化成氩等离子体； 设置基片偏压为正偏压吸引所述氩等离子体中的电子对所述基片表面上的聚合物薄膜及所述聚合物薄膜上的具有预设图案的掩模板进行电子照射。

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