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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于多线圈耦合的磁调谐F类压控振荡器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119628571B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411688373.2，技术领域涉及：H03B5/04；该发明授权一种基于多线圈耦合的磁调谐F类压控振荡器是由李振荣;余君杰;田显亮;胡晓哲设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于多线圈耦合的磁调谐F类压控振荡器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于多线圈耦合的磁调谐F类压控振荡器，包括：F类振荡环路，用于产生所需频率的振荡信号，并对振荡信号的频谱进行谐波调节；磁调谐变压器，用于调节F类振荡环路中的振荡信号的电压电流关系，改变F类振荡环路中的等效电感值，进而调节振荡频率；共模谐振电容，用于确定F类振荡环路中的共模电容，通过共模谐振在二次谐波，进一步降低相位噪声；本发明采用F类压控振荡器增强谐波的方式实现三倍频来产生毫米波振荡信号，并以磁调谐的方式替代低品质因数的变容管去控制改变谐振频率，与传统LC压控振荡器相比，本发明的压控振荡器能够获取更低的相位噪声和更高的品质因数，且为毫米波振荡信号的产生省去了额外的倍频器。

本发明授权一种基于多线圈耦合的磁调谐F类压控振荡器在权利要求书中公布了：1.一种基于多线圈耦合的磁调谐F类压控振荡器，其特征在于，包括： F类振荡环路：用于产生所需频率的振荡信号，并对振荡信号的频谱进行谐波调节，以增强三次谐波的幅值，降低相位噪声；所述F类振荡环路包括第一晶体管M1，第二晶体管M2，反馈变压器第一电感线圈L1，反馈变压器第二电感线圈L2，第三电容C3，第四电容C4，第七电容C7，第八电容C8；所述第一晶体管M1的漏极连接反馈变压器第一电感线圈L1的第一端，第一晶体管M1的栅极连接反馈变压器第二电感线圈L2的第二端，第一晶体管M1的源极连接到地；所述第二晶体管M2的漏极连接反馈变压器第一电感线圈L1的第二端，第二晶体管M2的栅极连接反馈变压器第二电感线圈L2的第一端，第二晶体管M2的源极连接到地；所述反馈变压器第一电感线圈L1的第三端连接到电源电压VDD，反馈变压器第二电感线圈L2的第三端连接到偏置电压VB；所述第一晶体管M1的栅极连接第三电容C3的第一端，第三电容C3的第二端连接第四电容C4的第二端，第四电容C4的第一端连接第二晶体管M2的栅极；所述第一晶体管M1的漏极连接第七电容C7的第一端，第七电容C7的第二端连接第八电容C8的第二端，第八电容C8的第一端连接第二晶体管M2的漏极； 磁调谐变压器：用于调节F类振荡环路中的振荡信号的电压电流关系，改变F类振荡环路中的等效电感值，进而调节振荡频率；所述磁调谐变压器包括第三电感线圈L3和第三晶体管M3；所述第三电感线圈L3的第一端连接到第三晶体管M3的漏极，第三电感线圈L3的第二端连接到地；所述第三晶体管M3的栅极连接到频率控制电压VCTRL，第三晶体管M3的源极连接到地； 共模谐振电容：用于确定F类振荡环路中的共模电容，通过共模谐振频率在二次谐波频率处提供高阻抗，进一步降低相位噪声； F类振荡环路的振荡信号输出端分别与磁调谐变压器和共模谐振电容的振荡信号输入端连接；所述反馈变压器第一电感线圈L1和反馈变压器第二电感线圈L2之间存在耦合系数K1，所述反馈变压器第一电感线圈L1和磁调谐变压器第三电感线圈L3之间存在耦合系数K2，所述反馈变压器第二电感线圈L2和磁调谐变压器第三电感线圈L3之间存在耦合系数K3，且耦合系数K2与耦合系数K3相等。

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