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龙图腾网获悉南京航空航天大学申请的专利可重构三态内容可寻址存储单元及其匹配条目查找方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119649873B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411887132.0，技术领域涉及：G11C11/408；该发明授权可重构三态内容可寻址存储单元及其匹配条目查找方法是由邓尔雅;胡清婷;刘伟强;朱松林设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本可重构三态内容可寻址存储单元及其匹配条目查找方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种可重构三态内容可寻址存储单元及其匹配条目查找方法，涉及非易失性存储器电路设计技术领域。该可重构三态内容可寻址存储单元包括数据存储模块、写入控制模块、第一比较模块、第二比较模块，基于该可重构三态内容可寻址存储单元实现的匹配条目查找方法可根据外部控制指令实现两种不同的搜索模式，第一搜索模式可实现TCAM的三态数据匹配查找功能，第二搜索模式在第一搜索模式的基础上可实现精确匹配条目的查找。本发明采用重构复用的方式，以同一套电路结构，在实现TCAM的基本匹配查找功能外，还能直接查找精确匹配条目，节省了硬件资源。

本发明授权可重构三态内容可寻址存储单元及其匹配条目查找方法在权利要求书中公布了：1.一种可重构三态内容可寻址存储单元的匹配条目查找方法，其特征在于，该可重构三态内容可寻址存储单元包括数据存储模块、写入控制模块、第一比较模块、第二比较模块； 其中，数据存储模块包括依次层叠的磁隧道结M0的第一固定层、第一势垒层、第一自由层、重金属层及磁隧道结M1的第二自由层、第二势垒层、第二固定层； 写入控制模块包括P型晶体管P0及N型晶体管N0、N1、N2；其中，P型晶体管P0的栅极连接第一控制信号V0，漏极连接重金属层的一端，源极连接第一位线BL0； N型晶体管N0的栅极连接字线WL，漏极连接重金属层另一端，源极连接第二位线BLB0； N型晶体管N1的栅极连接第一源线SL，漏极连接磁隧道结M0的第一固定层，源极连接第三位线BL1； N型晶体管N2的栅极连接第二源线SLB，漏极连接磁隧道结M1的第二固定层，源极连接第四位线BLB1； 第一比较模块包括反相器INV0及N型晶体管N3；反相器INV0的输入端连接P型晶体管P0的漏极，输出端连接N型晶体管N3的栅极；N型晶体管N3的漏极连接第一匹配线ML0，源极接地； 第二比较模块包括P型晶体管P1、P2及N型晶体管N4；P型晶体管P1的栅极连接第二控制信号V1，漏极连接磁隧道结M0的第一固定层，源极连接电源电压VDD； P型晶体管P2的栅极连接磁隧道结M0的第一固定层，漏极连接N型晶体管N4的漏极，源极连接第二匹配线ML1； N型晶体管N4的栅极连接第二搜索模式使能信号SENX，源极接地； 包括第一搜索模式和第二搜索模式； 由所述第一搜索模式完成TCAM的三态匹配查找功能； 由所述第二搜索模式基于第一搜索模式实现TCAM的精确匹配查找功能； 第一搜索模式结束后，根据第二搜索模式使能信号SENX的状态决定是否进行第二搜索模式； 当采用第一搜索模式时： N型晶体管N1或N2响应于第一源线SL或第二源线SLB导通，第一位线BL0接电源电压VDD，第三位线BL1和第四位线BLB1接地； 第一控制信号V0接入第一控制电压VBIAS1以控制晶体管P0中导通设定大小电流，设定大小电流从P型晶体管P0的漏极流经磁隧道结M0或M1的其中一个； P型晶体管P0的漏极和重金属层一端连接的节点Q0的电压通过第一反相器INV0后控制晶体管N3的开关以控制第一匹配线ML0是否通过晶体管N3接地； 当且仅当存储单元中存储数据与搜索数据一致或为第三态时，节点Q0为高电压，反相器INV0的输出电压为低电压，晶体管N3关断，ML0不会通过晶体管N3接地； 当采用第二搜索模式时： 第四位线BLB1接地，N型晶体管N2响应于第二源线SLB导通； 第二控制信号V1接入第二控制电压VBIAS2以控制晶体管P1中导通设定大小电流，设定大小电流从晶体管P1漏极流经磁隧道结M0和M1； P型晶体管P1的漏极和N型晶体管N1的漏极连接节点Q1的电压将由磁隧道结M0、M1的串联电阻决定，节点Q1的电压控制P型晶体管P2的开关以控制第二匹配线ML1是否连接晶体管P2的漏极； N型晶体管N4响应于第二搜索模式使能信号SENX导通，使得晶体管P2的漏极通过晶体管N4连接到地； 晶体管P2的开关状态决定第二匹配线ML1是否通过晶体管P2和N4连接到地，当且仅当存储单元存储数据为第三态‘X’时，节点Q1为高电压，晶体管P2不会导通，ML1不会通过晶体管P2和N4接地。

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