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龙图腾网获悉锦州七七七微电子有限责任公司申请的专利一种温度传感器芯片的封装工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119650445B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411808739.5，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种温度传感器芯片的封装工艺是由刘阳;马建军;刘立;刘丽丽设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种温度传感器芯片的封装工艺在说明书摘要公布了：一种温度传感器芯片的封装工艺，包括如下步骤：选择氮化铝陶瓷基片，并根据芯片的尺寸大小来选定对应尺寸的金锡焊料片；氮化铝陶瓷基片清洗；制作氮化铝陶瓷基片的双面金属化层；把沉积完金属化层的氮化铝陶瓷基片按芯片的大小进行划切，然后将金属管壳摆放到烧结模具上，再在金属管壳上放置金锡焊料片，在金锡焊料片上放置切好的所述氮化铝陶瓷基片，在氮化铝陶瓷基片上再次放置金锡焊料片，最后放置芯片；并将其一起放到共晶焊炉内进行烧结；选用可编程真空共晶焊炉进行共晶烧结，焊接完成后等温度降到70℃以下，打开腔室门，取出器件。有益效果是：不仅感温性能高、绝缘效果好，而且工艺合理，操作简单，生产效率高，适合工业化生产。

本发明授权一种温度传感器芯片的封装工艺在权利要求书中公布了：1.一种温度传感器芯片的封装工艺，其特征是包括如下步骤： 1选择氮化铝陶瓷基片，并根据芯片的尺寸大小来选定对应尺寸的金锡焊料片； 2氮化铝陶瓷基片清洗； 3制作氮化铝陶瓷基片的金属化层； 3.1、选择具有四个靶位的磁控溅射台，采用溅射的方法沉积复合金属层；把氮化铝陶瓷基片放到托盘中送入到磁控溅射台的溅射腔室内，加热衬底，温度为160℃±10℃； 3.2、然后对氮化铝陶瓷基片进行反溅射，在150W±10W功率下轰击氮化铝陶瓷基片，时间为300s±10s，去除基片表面的污染层，活化基片表面，提高溅射膜层在基片表面的附着力； 3.3、在基片表面溅射CrSi-NiCr-Au复合膜，首先溅射CrSi层，功率设定在100W±10W，时间500s±10s，氩气流量为13sccm±2sccm；溅射时，先将高阀截流，控制抽真空通道部分关闭，然后打开氧气流量计开关，通入一定的氧气来进行反应溅射，氧气流量3sccm±1sccm；溅射完CrSi层后马上溅射NiCr膜，功率设定在300W±10W，时间300s±10s；最后溅射Au层，功率设定在200W±10W，时间300s±10s；溅射完成后取出氮化铝陶瓷基片，并用同样的方法溅射沉积另一面，使基片二面都形成CrSi-NiCr-Au复合膜金属化层； 4把沉积完金属化层的氮化铝陶瓷基片按芯片的大小进行划切，然后将金属管壳摆放到烧结模具上，再在金属管壳上放置金锡焊料片，在金锡焊料片上放置切好的所述氮化铝陶瓷基片，在氮化铝陶瓷基片上再次放置金锡焊料片，最后放置芯片；并将其一起放到共晶焊炉内进行烧结； 5选用可编程真空共晶焊炉进行共晶烧结，焊接完成后等温度降到70℃以下，打开腔室门，取出器件； 6最后对共晶烧结后的产品进行键合、封帽，便可完成封装。

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