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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种横向结构的肖特基二极管、原位制样方法及加工工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653788B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411744686.5，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种横向结构的肖特基二极管、原位制样方法及加工工艺是由张乐;朱青;雷毅敏;荀巍;范佳桐;马晓华设计研发完成，并于2024-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种横向结构的肖特基二极管、原位制样方法及加工工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种横向结构的肖特基二极管、原位制样方法及加工工艺。肖特基二极管的阴阳极在同一平面内，结构外围为阴极欧姆接触层，中心为阳极肖特基金属层，二者之间各层材料结构依次为AlGaN势垒层和GaN衬底层。本发明的原位制样方法，采用FIB制样技术和选区断路的方法完成样品与芯片的连接，可以在透射电子显微镜下实时观察器件的失效行为，本发明的加工工艺，在制样过程中通过氧化硅实现阳极和二维电子器的有效隔离。同时，氧化硅隔离可防止电源短路，使电流通过路径更短，效率更高，可以有效防止离子束进行操作时损坏样品表面和下面的金属功能区。从而解决器件功率转换效率低和电极短路等问题。

本发明授权一种横向结构的肖特基二极管、原位制样方法及加工工艺在权利要求书中公布了：1.一种横向结构的肖特基二极管加工工艺，其特征在于，欧姆金属层与肖特基金属层均设置在同一平面内，结构外围为欧姆金属层，中心为肖特基金属层，二者之间各层材料结构依次为AlGaN势垒层和GaN衬底层，通过优化各金属层的厚度和比例来达到降低电阻的效果；该加工工艺的步骤包括如下： 步骤1，进行取样和确定取样位置：将AlGaNGaN异质结肖特基二极管和DENS热电芯片固定后，置于真空环境进行原位制样，通过调节工作距离和共心高度，将肖特基二极管器件置于视野中心位置； 步骤2，沉积Pt保护层： 利用电子束，在欧姆金属层与肖特基金属层之间沉积一层Pt保护层；Pt保护层覆盖部分肖特基金属层和欧姆金属层；在Pt保护层的阳极侧的阳极处，用离子束加工出一个凹槽，凹槽深度直达GaN衬底层；在凹槽内沉积氧化硅； 步骤3，U型切割样品： 采用选区断路的方法，对样品进行切割；完全切断后调整机械手贴近样品，利用沉积Pt保护层，将机械手和样品连接起来，彻底切断样品另一侧，通过机械手将样品提取出来，并与芯片进行连接，沉积Pt将器件的肖特基金属层连接到芯片的电极2，将欧姆金属层连接到电极1；切割后的样品包含沟槽内的氧化硅； 步骤4，切断Pt减薄样品： 利用离子束，将阴阳两极之间的Pt保护层切断，在电子束中进行实时观测对二极管样品的厚度进行减薄，直至样品在电子束中的观察区域的厚度小于100nm时为止。

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