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龙图腾网获悉福州大学申请的专利一种基于原子择优占位的高熵合金层错能预测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119673345B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411754561.0，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种基于原子择优占位的高熵合金层错能预测方法是由吴波;孙佳文;张楚波;赵攀红;乔阳;黄佳明;苏祥言;周小膦设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于原子择优占位的高熵合金层错能预测方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于原子择优占位的高熵合金层错能预测方法，首先计算出高熵合金原子在亚晶格上的占位分数SOFs，并据此结构信息，构建出高熵合金的原子占位有序化结构模型，再将所建晶胞模型进行结构优化、切面、将切完面之后的111面进行剪切、增加原子层的层数的操作进行扩胞、添加真空层平移操作，从而建立出未产生层错的滑移面结构模型；其次通过平移构建各个层错滑移面结构模型；最后，采用基于密度函数理论计算高熵合金的总能，进而预测出高熵合金的层错能。该方法可以合理构筑高熵合金层错能预测的原子分布结构模型，进而准确计算出高熵合金的层错能。

本发明授权一种基于原子择优占位的高熵合金层错能预测方法在权利要求书中公布了：1.一种基于原子择优占位的高熵合金层错能预测方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：根据高熵合金的晶体学结构信息和合金热力学原理，计算出该高熵合金原子在亚晶格上的占位分数SOFs； 步骤S2：基于合金相的原型结构，采用第一性原理计算工具包构建超胞，并基于步骤S1中计算获得的占位分数，按亚晶格类型，分别将高熵合金中各种类型的原子按占位分数随机分布在各种类型的亚晶格上，然后将各类亚晶格进行嵌套，形成整体高熵合金结构，构建出高熵合金占位有序化结构模型，获得模型文件POSCAR； 步骤S3：基于获得的高熵合金占位有序化结构模型文件POSCAR，通过VASP计算软件包，先对晶体结构进行体积优化；在此基础上，对体积、形状和原子位置进行全局优化，得到总能最低，最稳定的高熵合金占位有序化结构模型； 步骤S4：将结构优化完成后的高熵合金占位有序化结构模型进行切面，进行指定方向 的坐标系变换，并添加设定厚度的真空层，得到层错能计算中未产生层错时的滑移面结构 模型；通过VASP软件包计算，获得平衡状态下未产生层错时高熵合金滑移面结构模型的总 能； 步骤S5：根据设定的剪切路线，将未发生层错的滑移面结构模型的部分原子层进行平移操作，获得层错滑移面结构模型； 步骤S6：在构建完层错滑移面结构模型后，将模型的滑移面111固定，让其原子在 [111]方向上自由弛豫，通过VASP软件包计算，获得平衡状态下层错产生后所对应的高熵 合金的总能； 步骤S7：层错产生后滑移面结构模型的总能与未发生层错的滑移面结构模型的总能之差，与层错面积A之比，即为所求层错能γd； 步骤S8：计算出不同剪切路径上的层错能，然后以在[11-2]滑移方向位移的Burgers矢量单位长度大小作为横坐标，以层错能大小作为纵坐标，绘制出广义层错能图像； 步骤S9：预测晶体的塑性变形是由孪生主导，还是以位错滑移为主导。

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