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龙图腾网获悉核工业西南物理研究院申请的专利用于降低液态包层多耦合管道内压降的结构及其使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119673491B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411760636.6，技术领域涉及：G21B1/13；该发明授权用于降低液态包层多耦合管道内压降的结构及其使用方法是由吕欣婷;张秀杰;王磊;孙振超;赵耀设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于降低液态包层多耦合管道内压降的结构及其使用方法在说明书摘要公布了：本发明公开了用于降低液态包层多耦合管道内压降的结构及其使用方法，包括在所述多耦合管道的每个耦合哈特曼壁面上开设的压力平衡缝，所述多耦合管道为相同尺寸的导电管道沿同一方向排布，相邻导电管道之间共用导电壁面，所述外加磁场均沿管道排列方向，故相邻管道间共用导电壁面均为耦合哈特曼壁面。本发明通过在多耦合管道结构中的耦合哈特曼壁面上开压力平衡缝，给液态金属流向下一根相邻管道提供新的路径，在一定程度上将n根管道变成了一根管道，增大了平行于磁场的半宽度，同时多耦合管道内的感应电势会减小，因此有助于降低多耦合管道内液态金属的压降，从而有效解决当前多耦合管道内压降过大的问题，促进液态包层的工程应用。

本发明授权用于降低液态包层多耦合管道内压降的结构及其使用方法在权利要求书中公布了：1.一种用于降低液态包层多耦合管道内压降的结构，其特征在于，包括在所述多耦合管道的每个耦合哈特曼壁面上开设的压力平衡缝04，所述多耦合管道为相同尺寸的导电管道沿同一方向排布，相邻导电管道之间共用导电壁面，所述共用导电壁面为耦合哈特曼壁面； 所述压力平衡缝04为横缝或者竖缝； 所述横缝开设在耦合哈特曼壁面和管道侧壁面的连接位置处；所述耦合哈特曼壁面为垂直于外加磁场方向的壁面；所述侧壁面为导电管道平行于外加磁场方向的侧壁面； 所述横缝的无量纲尺寸为： 其中，X为液态金属流动方向，Y为平行于磁场方向，Z为垂直于磁场方向，L为多耦合管道结构内管道长度，Cw为无量纲壁面导电系数，σw为壁面的电导率，σ为流体电导率，a为垂直于磁场的半宽度，b为平行于磁场的半宽度； 所述竖缝开设在耦合哈特曼壁面上，所述竖缝与导电管道的上侧壁面、下侧壁面的间距相同； 所述竖缝的无量纲尺寸为： 其中，X为垂直于磁场方向，Y为平行于磁场方向，Z为液态金属流动方向，L为多耦合管道结构内管道长度，Cw为无量纲壁面导电系数，σw为壁面的电导率，σ为流体电导率，a为垂直于磁场的半宽度，b为平行于磁场的半宽度。

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