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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利四周环绕式栅极氧化镓MOSFET功率器件及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698032B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411785517.6，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权四周环绕式栅极氧化镓MOSFET功率器件及制作方法是由何云龙;陆小力;马晓华;郑雪峰;郝跃设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本四周环绕式栅极氧化镓MOSFET功率器件及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种四周环绕式栅极氧化镓MOSFET功率器件及制作方法，主要解决现有氧化镓MOSFET器件栅控能力弱，散热能力差的问题。其包括衬底、非故意掺杂UID氧化镓层，氧化镓沟道层、上层Al2O3介质层、源欧姆电极、漏欧姆电极、顶层栅极电极，其中：衬底采用高热导率的金刚石材料，非故意掺杂UID氧化镓层与衬底之间依次设有Al2O3介质层和NiAu金属层，该Al2O3介质层与上层Al2O3介质层连接，共同包围氧化镓沟道层；该NiAu金属层与顶层栅极电极连接，共同包围上层Al2O3介质层和Al2O3介质层。本发明能有效提升氧化镓MOSFET器件的散热能力和栅极对沟道的控制能力，可用于制作高耐压的功率晶体管器件。

本发明授权四周环绕式栅极氧化镓MOSFET功率器件及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种四周环绕式栅极氧化镓MOSFET功率器件制作方法，其特征在于，包括如下步骤： 1选择外延衬底并清洗； 2利用Sputter设备，在清洗后的衬底表面生长一层氧化铁薄膜并进行退火处理； 3采用ALD设备在氧化铁层上方沉积5~35nm的Al2O3介质层； 4将沉积有Al2O3介质层的样品置于MOCVD反应腔室内，采用金属有机物化学气相沉积方法在Al2O3介质层上方依次生长载流子浓度为1×1014cm-3~1×1016cm-3，厚度为100nm~500nm的第一层α向氧化镓非故意掺杂层，及载流子浓度为1×1016cm-3~1×1018cm-3，厚度为200nm~600nm的第二层α向氧化镓沟道层； 5使用掩膜版确定样品的源漏区域位置，并在源漏区域进行离子注入，形成欧姆区域； 6在源欧姆区域上方和漏欧姆区域上方沉积TiAu金属叠层，并进行退火，完成源欧姆电极和漏欧姆电极的制作； 7通过ICP刻蚀机将源漏区域包围之外的氧化镓层刻蚀掉，完成有源区隔离； 8利用电子束光刻机光刻形成纳米长条形状的掩膜，再利用ICP刻蚀机刻蚀至露出氧化铁层以形成纳米沟道； 9使用掩膜版确定样品的栅介质区域，并采用ALD设备在栅介质区域沉积5~35nm的上层Al2O3介质层；上层Al2O3介质层与Al2O3介质层接触连接，且上层Al2O3介质层成倒U型； 10在上层Al2O3介质层上方沉积NiAu金属叠层，完成顶层栅极电极制作；顶层栅极电极呈倒U型，并接触氧化铁层； 11使用液相剥离法将氧化铁层上方结构从外延衬底上剥离； 12采用表面活化键合法将氧化铁层上方结构转移键合至表面沉积有NiAu叠层金属的金刚石衬底上，并进行退火处理，完成整个器件制作；NiAu叠层金属与顶层栅极电极接触连接。

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