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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利高功率优值的氧化镓增强型晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698044B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411785521.2，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权高功率优值的氧化镓增强型晶体管及其制作方法是由何云龙;陆小力;马晓华;郑雪峰;郝跃设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本高功率优值的氧化镓增强型晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高功率优值的氧化镓增强型晶体管及其制作方法，主要解决现有氧化镓器件难以实现增强型的问题并实现具有较高功率优值的Ga2O3增强型场效应晶体管。其器件制作方案是：采用MOCVD方法在氧化镓衬底上方依次生长氧化镓非故意掺杂层与氧化镓沟道层；在栅下部分区域选择性生长P型NiOX，然后沉积栅极金属；在氧化镓沟道层上依次制作源、漏电极和栅介质层，最后制作SiNx钝化层与场板结构，完成氧化镓增强型晶体管器件制作。本发明栅金属一半位于NiOX上方，一半直接位于β‑Ga2O3层上方，形成了金属与氧化镓间的肖特基结和NiOX与氧化镓间的PN结。这两种结同时对沟道起到调控作用，从而有效提高氧化镓增强型场效应晶体管的功率优值。

本发明授权高功率优值的氧化镓增强型晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高功率优值的氧化镓增强型晶体管制备方法，包括如下步骤： 1在β-Ga2O3绝缘衬底1上，利用金属有机物化学气相沉积MOCVD工艺，生长一层厚度为100~700nm的非故意掺杂的β-Ga2O3阻挡层2；在阻挡层2上面，利用MOCVD工艺，生长一层厚度为100~700nm，掺杂浓度为1×1016~1×1019cm-3的Si掺β-Ga2O3沟道层3； 2利用ICP干法刻蚀对沟道层3的中部区域进行减薄，其保留厚度低于50nm； 3在减薄后的沟道上方两侧区域注入Si离子以形成重掺层，并沉积厚度为20200nm的TiAu叠层作为源极7和漏极9金属； 4在减薄后沟道上方的源极7与漏极9之间利用Sputter设备溅射一层掺杂浓度为1×1018~5×1020cm-3，厚度为40~100nm，长度为1~9μm的P型NiOX层4；所述NiOX层4位于沟道层中部区域上； 5在部分沟道层3和NiOX4上方沉积厚度为45400nm的NiAu叠层作为栅极金属8，所述栅极金属与NiOX4直接接触，并与位于NiOX层4源极侧的部分沟道层直接形成肖特基接触；该栅极金属覆盖部分NiOX层4的长度为0.5~5μm； 6利用ALD设备，在未被栅极金属8覆盖的沟道层3和P型NiOX层4上方生长厚度为10~30nm的Al2O3或HfO2作为介质层5，再利用等离子增强型化学气相淀积PECVD设备，在介质层表面生长厚度为50~300nm的SiNx或SiO2或Al2O3作为钝化层6； 7利用ICP设备，刻蚀掉源极7上方的钝化层6，暴露出金属电极； 8在钝化层6上方靠近源极7一侧淀积金属Au并与源极金属相连形成场板结构10，最后沉积互连金属完成器件制备。

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