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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于周期性表面微结构的光导器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698080B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411790144.1，技术领域涉及：H10F30/10；该发明授权基于周期性表面微结构的光导器件及其制备方法是由陆小力;杨瑞麒;马晓华;谢敏;郎锦涛;王旭;何云龙设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于周期性表面微结构的光导器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于周期性表面微结构的光导器件及其制备方法，主要解决现有同类器件工作电流电场分布不均匀的问题。其包括半绝缘衬底1、金属电极2、连接电极3、外延层4和高反介质层5，外延层4嵌入于半绝缘衬底上表面和下表面的对称的正多边形周期性凹槽中；金属电极2分布在每个外延层的表面；高反介质层5位于金属电极之间的半绝缘衬底上；连接电极3位于高反介质层和金属电极的表面。本发明能均匀器件工作时电流电场分布，改善器件的热失效、提升器件的光能利用率，提高器件工作的稳定性和工作效率，可用于超宽带电磁脉冲发生器、介质壁加速器及固态紧凑型脉冲电源。

本发明授权基于周期性表面微结构的光导器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于周期性表面微结构光导器件，包括半绝缘衬底1，金属电极2和连接电极3，其特征在于： 所述的半绝缘衬底1，其正反表面嵌入有对称的正多边形周期性外延层4，用于匀化应力和改善器件的热管理； 所述的金属电极2，位于每个外延层的表面，且金属电极之间的半绝缘衬底上设有与金属电极厚度相同的高反介质层5，用于反射光线，减少光能的损失； 所述的连接电极3，位于高反介质层和金属电极的表面； 所述外延层4，为n+外延层，其嵌入的深度为1μm～5μm； 所述高反介质层5采用Ti3O5SiO2复合层，且各层厚度分别为640nm～660nm和840nm～860nm； 所述金属电极2与n+外延层4的形状大小一致，且与其为欧姆接触，材料为NiTiPtAu复合金属层、TiPtAu复合金属层、WTiAu复合金属层、NiTiAu复合金属层或NiAu复合金属层中任一种； 所述半绝缘衬底1,采用正方体或圆柱体形状，厚度为0.35mm～1mm；其材料为碳化硅、氮化镓、砷化镓、氧化镓或金刚石中的任意一种； 所述连接电极3材料为铜、金、或铜金金属层中的一种，厚度为0.001mm～0.1mm。

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