华东理工大学刘勇弟获国家专利权
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龙图腾网获悉华东理工大学申请的专利一种氧化钨薄膜电极材料、制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119701929B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411907465.5，技术领域涉及：B01J23/30；该发明授权一种氧化钨薄膜电极材料、制备方法及其应用是由刘勇弟;雷菊英;周亮;张金龙;刘鑫鹏;吴杨洁;孙于清;马暄骐;李晶晶设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氧化钨薄膜电极材料、制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明属于功能性薄膜材料制备领域，具体涉及一种氧化钨薄膜电极材料、制备方法及其应用，本发明采用将氧化钨前体溶液滴涂于FTO导电玻璃基底上，经干燥煅烧制成由基底、覆盖于基底上的氧化钨薄膜组成的氧化钨薄膜电极材料，该材料具有优异的光吸收性能和强氧化能力，在高级氧化催化降解有机污染物方面具有循环稳定性强、氧化能力强的优点，同时在氯化钠作为电解质时具有更高的催化降解活性，且本发明材料制备工艺简单易行，在污染物降解领域具有较高的应用前景。
本发明授权一种氧化钨薄膜电极材料、制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种氧化钨薄膜电极材料，其特征在于，所述氧化钨薄膜电极材料由基底、覆盖于基底上的氧化钨薄膜组成；所述基底为FTO导电玻璃；所述氧化钨薄膜的厚度为110～120μm； 所述氧化钨薄膜电极材料的制备方法包括如下步骤： S1：将偏钨酸铵溶解于溶剂中，再向其中加入柠檬酸水溶液和TritonX-100，搅匀制得前体溶液； S2：将前体溶液滴涂于FTO导电玻璃限制区域，室温干燥后煅烧制得氧化钨薄膜电极材料； 所述前体溶液中偏钨酸铵与柠檬酸水溶液的用量比为0.2g:0.12mL；所述柠檬酸水溶液的浓度为0.1～5M； 所述前体溶液中偏钨酸铵与TritonX-100的用量比为0.2g:10μL。
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