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龙图腾网获悉南京航空航天大学申请的专利一种抗辐照的存内逻辑电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119719021B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411880320.0，技术领域涉及：G06F15/78；该发明授权一种抗辐照的存内逻辑电路是由邓尔雅;沈中坤;刘伟强;陈果设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗辐照的存内逻辑电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种抗辐照的存内逻辑电路，涉及集成电路领域。该电路包括磁隧道结CMOS混合逻辑网络、抗SEU读取电路、抗SET脉冲滤波电路三个部分。磁隧道结CMOS混合逻辑网络与抗SEU读取电路相连，而滤波电路的输入端连接在抗SEU读取电路的输出端。磁隧道结CMOS混合逻辑网络具有可重构功能，可以实现多种布尔逻辑与逻辑、或逻辑、异或逻辑。当辐射粒子照射到读取电路的敏感节点时，抗SEU的读取电路用于纠正由SEU引起的逻辑错误。滤波电路用于滤除前一级读取电路纠正SEU时遗留的SET脉冲。本发明有效地提高了存内逻辑电路的抗单粒子翻转的能力，降低了电路的软错误率。同时，相比于传统的多模冗余的加固方式，本发明可以有效的减少电路的面积开销和功耗。

本发明授权一种抗辐照的存内逻辑电路在权利要求书中公布了：1.一种抗辐照的存内逻辑电路，其特征在于，包括磁隧道结CMOS混合逻辑网络、抗SEU读取电路、抗SET脉冲滤波电路； 所述磁隧道结CMOS混合逻辑网络与抗SEU读电路之间电性相连； 所述磁隧道结CMOS混合逻辑网络，具体包括： NMOS晶体管N7，其漏极连接NMOS晶体管N3的源极，其源极连接磁隧道结M1的上端，其栅极连接信号C1； NMOS晶体管N8，其漏极连接NMOS晶体管N4的源极，其源极连接磁隧道结M1的上端，其栅极连接信号C2； NMOS晶体管N9，其漏极连接NMOS晶体管N3的源极，其源极连接磁隧道结M2的上端，其栅极连接信号C2； NMOS晶体管N10，其漏极连接NMOS晶体管N4的源极，其源极连接磁隧道结M2的上端，其栅极连接信号C3； 磁隧道结M1，其上端连接NMOS晶体管N7和NMOS晶体管N8的源极，其下端连接NMOS晶体管N11的漏极； 磁隧道结M2，其上端连接NMOS晶体管N9和NMOS晶体管N10的源极，其下端连接NMOS晶体管N11的漏极； 所述抗SEU读取电路与抗SET脉冲滤波电路之间电性相连，抗SEU读取电路的输出信号输入到抗SET脉冲滤波电路中，抗SET脉冲滤波电路输出电路逻辑结果； 当读取电路的敏感节点受到高能粒子撞击产生SEU效应导致输出信号发生翻转时，所述抗SEU读取电路检测当前错误信号并修正输出信号，同时留下SET脉冲；利用所述抗SET脉冲滤波电路对SET脉冲进行检测并滤除。

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