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龙图腾网获悉中山德华芯片技术有限公司申请的专利一种平面型短波红外探测器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730440B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411646360.9，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种平面型短波红外探测器及其制备方法和应用是由代智文;高嘉咏;饶伟;张小宾;宋明辉设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种平面型短波红外探测器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种平面型短波红外探测器及其制备方法和应用；其制备方法包括如下步骤：S1、在衬底上依次生长缓冲层、N型接触层、吸收层、未掺杂的P型层和帽层；S2、在帽层的表面生长一层介质膜；采用湿法腐蚀工艺对暴露出来的帽层进行腐蚀；S3、腐蚀结束后去除介质膜；在腐蚀区域生长P掺杂的Al1‑wInwAs；S4、去除帽层以及在未掺杂的P型层上表面的P掺杂的Al1‑wInwAs；S5、在所有裸露在外的上表面上生长一层钝化膜；在钝化膜的表面使用光刻形成金属接触层的图形，形成P电极和N电极。本发明克服了因高In组分的外延层同衬底之间存在较大的晶格失配导致Zn扩散工艺难度大的问题，并提升了器件的性能。

本发明授权一种平面型短波红外探测器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种平面型短波红外探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、利用MOCVD或者MBE的沉积方式在n-InP衬底上依次生长缓冲层Al1-xInxAs、N型接触层InuGa1-uAs、吸收层InyGa1-yAs、未掺杂的P型层Al1-tIntAs和帽层Ga1-zInzAs；其中，x为0.52~0.84；u、y、t和z独立地选自0.74~0.84； S2、在所述帽层Ga1-zInzAs的表面生长一层介质膜；对所述介质膜进行开孔使得帽层Ga1-zInzAs暴露出来；采用湿法腐蚀工艺对暴露出来的帽层Ga1-zInzAs进行腐蚀；腐蚀深度小于等于帽层Ga1-zInzAs和未掺杂的P型层Al1-tIntAs的厚度之和； S3、腐蚀结束后去除介质膜；利用MOCVD或者MBE在腐蚀区域生长P掺杂的Al1-wInwAs；其中，w选自0.74~0.84； S4、去除所述帽层Ga1-zInzAs以及在未掺杂的P型层Al1-tIntAs上表面的P掺杂的Al1-wInwAs； S5、利用PECVD或者ALD在裸露在外的上表面上生长一层钝化膜；在所述钝化膜的表面使用光刻形成金属接触层的图形，采用磁控溅射或者电子束蒸镀形成P电极和N电极。

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