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龙图腾网获悉福州大学申请的专利一种基于电流调控的无注入发光器件结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730565B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411513853.5，技术领域涉及：H10K50/10；该发明授权一种基于电流调控的无注入发光器件结构是由张永爱;王浩楠;翁书臣;陈婉翟;邹振游;周雄图;吴朝兴;郭太良设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于电流调控的无注入发光器件结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于电流调控的无注入发光器件结构，涉及光电显示领域，所述发光器件结构包括：电子驱动电极层、第一无注入绝缘介质层、发光复合层、第二无注入绝缘介质层、空穴驱动电极层、电流栅传输层和电流栅电极层，电流栅电极层与电子驱动电极层和或所述空穴驱动电极层之间施加直流偏置信号；所述直流偏置信号用于在所述第一半周期和或所述第二半周期调控所述发光复合层内的所述电子、所述空穴受交流信号驱动而分离和复合的所述响应速度或所述响应量，以使所述电子、所述空穴在所述发光复合层内的分离和复合的所述响应速度或所述响应量趋于平衡，本发明能够有效提高无注入发光器件的电子空穴发光复合效率。

本发明授权一种基于电流调控的无注入发光器件结构在权利要求书中公布了：1.一种基于电流调控的无注入发光器件结构，其特征在于，所述发光器件结构包括： 无注入器件复合单元、电流栅调控单元；所述电流栅调控单元设置于所述无注入器件复合单元的至少一侧；所述无注入器件复合单元包括：电子驱动电极层、第一无注入绝缘介质层、发光复合层、第二无注入绝缘介质层、空穴驱动电极层；所述电流栅调控单元设置于所述电子驱动电极层侧和或所述空穴驱动电极层侧； 所述空穴驱动电极层与所述电子驱动电极层施加交流信号，所述交流信号用于在第一半周期驱动所述发光复合层处于蓄能态而分离电子、空穴，并在第二半周期驱动所述发光复合层处于复合态而复合电子、空穴而发光；其中，所述发光复合层内的所述电子、所述空穴受交流信号驱动而分离和复合的响应速度或响应量存在差异； 所述电流栅调控单元包括电流栅传输层和电流栅电极层，所述电流栅电极层与对应的毗连于所述电流栅传输层的所述电子驱动电极层和或所述空穴驱动电极层之间施加直流偏置信号；所述直流偏置信号用于在所述第一半周期和或所述第二半周期调控所述发光复合层内的所述电子、所述空穴受交流信号驱动而分离和复合的所述响应速度或所述响应量，以使所述电子、所述空穴在所述发光复合层内的分离和复合的所述响应速度或所述响应量趋于平衡。

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