买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉福州大学申请的专利一种双栅极调控无注入发光器件制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730646B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411513877.0，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种双栅极调控无注入发光器件制备工艺是由张永爱;翁书臣;王浩楠;陈婉翟;邹振游;周雄图;吴朝兴;郭太良设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双栅极调控无注入发光器件制备工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双栅极调控无注入发光器件制备工艺，包括：在衬底上镀膜第一导电层并光刻，形成第一载流子驱动电极、第一栅极调控电极以及第二栅极调控电极；在第一载流子驱动电极上镀膜第一绝缘层并光刻，形成第一无注入绝缘介质层；在第一无注入绝缘介质层上制备发光功能层；在发光功能层镀膜第二绝缘层，对第二绝缘层进行光刻，形成第二无注入绝缘介质层；在第二无注入绝缘介质层上镀膜第二导电层并光刻，形成第二载流子驱动电极；在第一载流子驱动电极和第一栅极调控电极上制备第一传输层，在第二载流子驱动电极和第二栅极调控电极上制备第二传输层。本发明有效改善无注入发光器件的发光效率和发光亮度，且能够灵活地对二者进行调控。

本发明授权一种双栅极调控无注入发光器件制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种双栅极调控无注入发光器件制备工艺，其特征在于，所述工艺包括： 步骤S1、在衬底上镀膜第一导电层，对所述第一导电层进行光刻，形成第一载流子驱动电极、第一栅极调控电极以及第二栅极调控电极； 步骤S2、在所述第一载流子驱动电极上镀膜第一绝缘层，对所述第一绝缘层进行光刻，形成第一无注入绝缘介质层； 步骤S3、根据发光器件的种类，在所述第一无注入绝缘介质层上制备发光功能层； 步骤S4、在所述发光功能层镀膜第二绝缘层，对所述第二绝缘层进行光刻，形成第二无注入绝缘介质层； 步骤S5、在所述第二无注入绝缘介质层上镀膜第二导电层，对所述第二导电层进行光刻，形成第二载流子驱动电极对所述第二无注入绝缘介质层进行覆盖； 步骤S6，在所述第一载流子驱动电极、所述第二载流子驱动电极、所述第一栅极调控电极以及所述第二栅极调控电极上镀膜载流子复合层，对所述载流子复合层进行光刻，在所述第一载流子驱动电极和所述第一栅极调控电极上形成第一传输层，在所述第二载流子驱动电极和所述第二栅极调控电极上形成第二传输层；其中，所述第一栅极调控电极用于相对于所述第一载流子驱动电极施加第一栅压，所述第一栅压在所述第一栅极调控电极、所述第一传输层以及所述第一载流子驱动电极之间形成第一调控电流，所述第一调控电流用于调控所述第一载流子驱动电极侧的载流子迁移率进而调整所述发光器件的发光效率和或发光亮度；所述第二栅极调控电极用于相对于所述第二载流子驱动电极施加第二栅压，所述第二栅压在所述第二栅极调控电极、所述第二传输层以及所述第二载流子驱动电极之间形成第二调控电流，所述第二调控电流用于调控所述第二载流子驱动电极侧的载流子迁移率进而调整所述发光器件的发光效率和或发光亮度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福州大学，其通讯地址为：350100 福建省福州市福州大学城乌龙江北大道2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。