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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请的专利一种拉晶炉副炉、晶棒直径测量方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119737871B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411879769.5，技术领域涉及：G01B11/08；该发明授权一种拉晶炉副炉、晶棒直径测量方法及装置是由秦浩设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种拉晶炉副炉、晶棒直径测量方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种拉晶炉副炉、晶棒直径测量方法及装置，该拉晶炉副炉包括：副炉室、籽晶夹具以及直径测量装置；所述籽晶夹具设置于所述副炉室的顶部，用于固定所述副炉室内的晶棒一端的籽晶；所述直径测量装置，包括：测量装置主体、四个测距仪以及计算模块；所述测量装置主体为环状结构，设置于所述副炉室的底部，且所述晶棒穿过所述测量装置主体；四个所述测距仪均匀设置于所述测量装置主体的内壁且与所述副炉室内壁齐平，用于测量到所述晶棒表面的距离；所述计算模块设置在所述测量装置主体上，用于根据所述测距仪到所述晶棒表面的距离计算所述晶棒的直径。解决了现有技术中在拉晶结束后需要将晶棒移出拉晶炉才能进行直径的测量的问题。

本发明授权一种拉晶炉副炉、晶棒直径测量方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种晶棒直径测量方法，应用于拉晶炉副炉，其特征在于，所述拉晶炉副炉包括： 副炉室、籽晶夹具以及直径测量装置； 所述籽晶夹具设置于所述副炉室的顶部，用于固定所述副炉室内的晶棒一端的籽晶； 所述直径测量装置，用于对所述晶棒的直径进行测量，包括： 测量装置主体、四个测距仪以及计算模块； 所述测量装置主体为环状结构，设置于所述副炉室的底部，且所述晶棒穿过所述测量装置主体； 四个所述测距仪均匀设置于所述测量装置主体的内壁且与所述副炉室内壁齐平，用于测量到所述晶棒表面的距离； 所述计算模块设置在所述测量装置主体上，用于根据所述测距仪到所述晶棒表面的距离计算所述晶棒的直径； 所述方法包括： 获取四个所述测距仪分别测量得到的与所述晶棒表面的第一距离、第二距离、第三距离以及第四距离； 根据所述第一距离、所述第二距离、所述第三距离以及所述第四距离，计算所述晶棒的直径； 其中，所述根据所述第一距离、所述第二距离、所述第三距离以及所述第四距离，计算所述晶棒的直径，包括： 在所述第一距离、所述第二距离、所述第三距离以及所述第四距离均相同的情况下，确定所述晶棒的直径为所述副炉室内壁的半径与所述第一距离的差的二倍； 在所述第一距离、所述第二距离、所述第三距离以及所述第四距离中的至少两个不相同的情况下，根据第五距离以及第六距离计算所述晶棒的直径；所述第五距离为点F到点G的距离GF，所述点F为所述晶棒的轴线向第一直线做垂线后所述垂线与所述第一直线的交点，所述点G为所述晶棒表面上测量所述第一距离的测量点，所述第六距离为所述晶棒的轴线到所述第一直线的距离，所述第一直线为相对设置的第一测距仪和第三测距仪连接构成的直线； 其中，根据所述第一距离、所述第二距离、所述第三距离、所述第四距离以及所述副炉室的直径确定所述第五距离以及所述第六距离。

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