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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利高压隔离环结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119744006B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411510041.5，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权高压隔离环结构是由何一鸣;苏庆设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本高压隔离环结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种高压隔离环结构，高压隔离环由高压二极管组成并隔离在高压电路和低压电路之间；在半导体衬底上形成有第一导电类型掺杂的外延层；外延层上形成有第二导电类型的掺杂区；第一导电类型重掺杂的阳极，阳极接高电平；第二导电类型重掺杂的体接触区，体接触区接低电平；至少一对第一导电类型重掺杂的第一有源区和第二导电类型重掺杂的第二有源区，第一、二有源区交替形成在第一阱区的选定区域，以形成寄生三极管结构，第一、二有源区均连接到低电平；栅极结构接低电平。本发明通过在高压二极管中插入三极管结构，能提高隔离环的泄放静电电流能力，且其占据的芯片面积保持不变。

本发明授权高压隔离环结构在权利要求书中公布了：1.一种高压隔离环结构，其特征在于，包括： 高压隔离环由高压二极管组成并隔离在高压电路和低压电路之间，所述高压电路的工作电压大于所述低压电路的工作电压，所述高压二极管的工作电压也大于所述低压电路的工作电压； 在半导体衬底上形成有第一导电类型掺杂的外延层； 所述外延层上形成有第二导电类型的掺杂区，所述第二导电类型的掺杂区包括第一阱区，其和所述高压电路之间的所述第一导电类型掺杂的外延层组成二极管部分； 所述高压二极管还包括： 第一导电类型重掺杂的阳极，形成于所述外延层的表面区域中，所述阳极靠近所述高压电路的一侧，所述阳极接高电平； 在所述掺杂区的选定区域中形成的第二导电类型重掺杂的体接触区，所述体接触区接低电平； 第一导电类型重掺杂的第一有源区和第二导电类型重掺杂的第二有源区，所述第一有源区和所述第二有源区形成在所述第一阱区的选定区域，以形成寄生三极管结构，所述第一有源区和所述第二有源区均连接到低电平； 所述第一有源区和所述第二有源区之间具有非掺杂有源区，所述第一有源区和所述第二有源区通过接触孔、正面金属层实现短接； 栅极结构覆盖在所述外延层的表面且所述栅极结构的一侧面延伸到漂移区场氧上，所述栅极结构接低电平。

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