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龙图腾网获悉河北工业大学申请的专利一种可实现载流子循环注入的DUV LED光电集成器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119744044B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411920237.1，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种可实现载流子循环注入的DUV LED光电集成器件是由张紫辉;张勇辉设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可实现载流子循环注入的DUV LED光电集成器件在说明书摘要公布了：本发明为一种可实现载流子循环注入的DUVLED光电集成器件。由横向集成的SBD和DUVLED组成，所述SBD沿着外延生长方向依次包括：衬底、缓冲层、N‑AlxGa1‑xN层、本征AlyGa1‑yN吸收层，以及第一N‑欧姆电极和肖特基电极；所述DUVLED沿着外延生长方向依次包括：衬底、缓冲层、N‑AlxGa1‑xN层、本征AlyGa1‑yN吸收层、N‑半导体传输层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P‑半导体传输层，以及第二N‑欧姆电极和P‑欧姆电极。本发明可以实现光电转换功能，使空穴循环注入LED，提高注入效率；在交流电的驱动下，进行低发热、低功耗工作；同时，本发明属于同质集成，工艺流程简单，成本较低。

本发明授权一种可实现载流子循环注入的DUV LED光电集成器件在权利要求书中公布了：1.一种可实现载流子循环注入的DUVLED光电集成器件，其特征为该器件组成包括：衬底1上为缓冲层2，缓冲层2表面分布有N-AlxGa1-xN层3，N-AlxGa1-xN层3为两部分，环状的N-AlxGa1-xN层3位于缓冲层2的外缘，圆形的N-AlxGa1-xN层3位于缓冲层2的中心，二者之间为波导层10；其中，圆形的N-AlxGa1-xN层3上表面的中部为圆形的本征AlyGa1-yN吸收层4；环状的N-AlxGa1-xN层3上为环状的本征AlyGa1-yN吸收层4，本征AlyGa1-yN吸收层4上为N-半导体传输层5；N-半导体传输层5被分成厚度相同的两层，上层的外缘截除，未截除部分的上方，依次为多量子阱层6、P型电子阻挡层7和P-半导体传输层8；截除部分的上表面设置有环状的第二N-欧姆电极12；P-半导体传输层8的上表面的内侧为P-欧姆电极14； 圆形N-AlxGa1-xN层3的上表面暴露部分外侧覆盖有第一N-欧姆电极11；P-欧姆电极14和第一N-欧姆电极11之间，覆盖有互联金属13； 圆形的本征AlyGa1-yN吸收层4上的中心为圆形的肖特基电极15；肖特基电极15的直径，为圆形的本征AlyGa1-yN吸收层4直径的60%～90%；圆形的本征AlyGa1-yN吸收层4的直径为圆形的N-AlxGa1-xN层3直径的20%～80%； P-半导体传输层8、圆形的N-AlxGa1-xN层3、圆形的本征AlyGa1-yN吸收层4和N-半导体传输层5上层的暴露部分，以及缓冲层2以上部分的侧壁，均覆盖有绝缘层； 所述N-AlxGa1-xN层3，其组分系数为0.5≤x≤0.8，0.2≤1-x≤0.5，其厚度为500nm～5μm； 所述本征AlyGa1-yN吸收层4，其组分系数为0≤y≤0.4，0.6≤1-y≤1，其厚度为5nm～5μm，其中xy； 所述N-半导体传输层5的材质为Alx1Ga1-x1N，各组分系数为0.5≤x1≤0.8，0.2≤1-x1≤0.5，其厚度为5nm～5μm； 所述多量子阱层6的材质为Alx2Ga1-x2NAlx3Ga1-x3N，其中，各组分系数为0.55≤x2≤0.8，0.2≤1-x2≤0.45，0.45≤x3≤0.6，0.4≤1-x3≤0.55，其中x2x3;量子垒的禁带宽度大于量子阱的禁带宽度，量子阱的个数大于1，量子垒Alx2Ga1-x2N厚度为5～50nm，量子阱Alx3Ga1-x3N厚度为1～20nm。

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