武汉理工大学寇宗魁获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利一种吡唑基二维Cu(I)-MOF晶体发光材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119751897B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411706723.3，技术领域涉及：C08G83/00；该发明授权一种吡唑基二维Cu(I)-MOF晶体发光材料及其制备方法和应用是由寇宗魁;陈澳;李帅;桑微;陈宬设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种吡唑基二维Cu(I)-MOF晶体发光材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及晶体发光材料技术领域，提出了一种吡唑基二维CuI‑MOF晶体发光材料及其制备方法和应用，其中，吡唑基二维CuI‑MOF晶体发光材料的制备方法，包括以下步骤：S1，将硝酸铜和吡唑置于反应釜中，然后加入有机溶剂和去离子水，搅拌至溶解；S2，加热步骤S1的混合液至100℃，反应18‑24h后冷却，然后用有机溶剂洗涤，干燥后得到CuI‑MOF晶体发光材料。本发明低毒性的含2.5个水的硝酸铜及有机生色团吡唑配体为原料，合成了近乎完美1:1配位结合且二维层状堆叠的CuI‑MOF，制备方法简单，且展现出了卓越的发光特性，量子产率达到99.8％。
本发明授权一种吡唑基二维Cu(I)-MOF晶体发光材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种吡唑基二维CuI-MOF晶体发光材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： S1，将硝酸铜和吡唑置于反应釜中，然后加入有机溶剂和去离子水，搅拌至溶解； S2，加热步骤S1的混合液至100℃，反应18-24h后冷却，然后用有机溶剂洗涤，干燥后得到CuI-MOF晶体发光材料； 所述硝酸铜为CuNO·2.5HO，所述硝酸铜:吡唑的摩尔比为1.3~2:1.7~2.5。
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