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龙图腾网获悉无锡中科微电子工业技术研究院有限责任公司申请的专利一种分段补偿带隙基准电压源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119759169B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411966681.7，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种分段补偿带隙基准电压源是由李涵;黄伟设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种分段补偿带隙基准电压源在说明书摘要公布了：本发明属于模拟集成电路设计领域，尤其涉及一种分段补偿带隙基准电压源。包括：一阶补偿带隙基准电路、分段补偿电路与偏置电路，所述一阶补偿带隙基准电路连接所述分段补偿电路，所述分段补偿电路连接偏置电路，所述一阶补偿带隙基准电路用于提供消除一阶温度系数的带隙基准电压，所述分段补偿电路用于为所述带隙基准电压提供温度特性电压，所述温度特性电压的电压曲线为开口朝上的抛物线，所述偏置电路为所述一阶补偿带隙基准电路和分段补偿电路提供偏置电压。本发明通过分段补偿电路提供一个开口朝上的抛物线温度特性的电压，用于补偿VBE的高阶温度系数，本发明能够减少带隙基准电压源的温漂。

本发明授权一种分段补偿带隙基准电压源在权利要求书中公布了：1.一种分段补偿带隙基准电压源，其特征在于，包括：一阶补偿带隙基准电路1、分段补偿电路2与偏置电路3，所述一阶补偿带隙基准电路1连接所述分段补偿电路2，所述分段补偿电路2连接偏置电路，所述一阶补偿带隙基准电路1用于提供消除一阶温度系数的带隙基准电压，所述分段补偿电路2用于为所述带隙基准电压提供温度特性电压，所述温度特性电压的电压曲线为开口朝上的抛物线，所述偏置电路3为所述一阶补偿带隙基准电路1和分段补偿电路2提供偏置电压； 所述分段补偿电路2包括：第五PMOS管MP5、第二NMOS管MN2、第三三极管QN3、第四三极管QN4、第五三极管QN5、第六三极管QN6、第七三极管QN7、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5和第六电阻R6； 所述第五PMOS管MP5的源极连接电源电压，所述第五PMOS管MP5的栅极连接一阶补偿带隙基准电路1，所述第五PMOS管MP5的漏极连接第三三极管QN3的集电极和基极以及第五三极管QN5的基极，所述第三三极管QN3的发射级连接第四三极管QN4的集电极和基极，所述第四三极管QN4的发射极连接信号地，所述第五三极管QN5的集电极连接消除一阶温度系数的带隙基准电压，所述第五三极管QN5的发射极连接第三电阻R3的一端，所述第三电阻R3的另一端连接第六三极管QN6的发射极和第四电阻R4的一端，所述第四电阻R4的另一端连接信号地，所述第六三极管QN6集电极连接电源电压，所述第六三极管QN6的基极连接所述偏置电路3，所述第二NMOS管MN2的漏极连接电源电压，所述第二NMOS管MN2的栅极连接一阶补偿带隙基准电路1，所述第二NMOS管MN2的源极连接第五电阻R5的一端，所述第五电阻R5的另一端连接消除一阶温度系数的带隙基准电压以及第七三极管QN7的集电极，所述第七三极管QN7的基极连接所述偏置电路3，所述第七三极管QN7的发射极连接第六电阻R6的一端，所述第六电阻R6的另一端连接信号地。

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