上海邦芯半导体科技有限公司李可获国家专利权
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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利一种等离子体刻蚀设备以及刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119764154B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510269302.7，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种等离子体刻蚀设备以及刻蚀方法是由李可;王兆祥;梁洁;涂乐义;向浪;王亮;颜羽设计研发完成，并于2025-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种等离子体刻蚀设备以及刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种等离子体刻蚀设备以及刻蚀方法，应用于等离子体刻蚀技术领域，所述刻蚀设备包括反应腔，所述反应腔的顶部和底部平行设置有一对上电极和下电极，所述上电极包括用于向下方喷淋气体的气体喷淋区及环绕所述气体喷淋区的边缘区，其中：所述边缘区的上方设有若干沿周向分布的磁场产生部件，所述磁场产生部件用于产生磁场且所述磁场能够穿过所述边缘区进入所述反应腔内；所述上电极的上方还设有旋转部件，所述旋转部件用于带动各所述磁场产生部件同步沿所述边缘区周向运动。本发明能够在晶圆边缘激发出密度更高的等离子体，从而提高晶圆边缘的刻蚀速率，提升晶圆中心区域和边缘刻蚀的均匀性。
本发明授权一种等离子体刻蚀设备以及刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子体刻蚀设备，所述刻蚀设备包括反应腔，所述反应腔的顶部和底部平行设置有一对上电极和下电极，所述上电极包括用于向下方喷淋气体的气体喷淋区及环绕所述气体喷淋区的边缘区，其特征在于， 所述边缘区的上方设有若干沿周向分布的磁场产生部件，所述磁场产生部件用于产生磁场且所述磁场能够穿过所述边缘区进入所述反应腔内，所述磁场在所述边缘区附近的强度最强； 所述上电极的上方还设有旋转部件，所述旋转部件用于带动各所述磁场产生部件同步沿所述边缘区周向运动，周向运动的磁场在所述反应腔内部的所述上电极边缘区附近偏转由电容耦合产生的带电离子，以辅助解离等离子体，在晶圆边缘激发出密度更高的等离子体，从而提高晶圆边缘的刻蚀速率。
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