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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767730B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411824599.0，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备是由吴妍霖;姜作衡设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体器件的性能。半导体器件包括衬底、第一盖帽层、第二盖帽层、第一栅极、第二栅极、第一电极和第二电极。第一盖帽层和第二盖帽层设置于衬底的一侧，且沿第一方向间隔设置，第一方向平行于衬底。第一盖帽层和第二盖帽层中的至少一者包括第一子层和第二子层，沿第一方向，第一子层设置于第二子层的一侧。第一子层的厚度大于第二子层的厚度。第一栅极设置于第一盖帽层远离衬底的一侧，第二栅极设置于第二盖帽层远离衬底的一侧。第一电极和第二电极沿第一方向设置于第一盖帽层和第二盖帽层组成的结构的相对两侧。上述半导体器件应用于芯片中。

本发明授权半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 第一盖帽层和第二盖帽层，设置于所述衬底的一侧，且沿第一方向间隔设置；所述第一方向平行于所述衬底；所述第一盖帽层和所述第二盖帽层中的至少一者包括第一子层和第二子层，沿所述第一方向，所述第一子层设置于所述第二子层的一侧；所述第一子层的厚度大于所述第二子层的厚度； 第一栅极和第二栅极，所述第一栅极设置于所述第一盖帽层远离所述衬底的一侧，所述第二栅极设置于所述第二盖帽层远离所述衬底的一侧；所述第一栅极和所述第二栅极中的至少一者设置于所述第一子层远离所述衬底的一侧； 第一电极和第二电极，沿所述第一方向设置于所述第一盖帽层和所述第二盖帽层组成的结构的相对两侧； 其中，所述第一盖帽层包括所述第一子层和所述第二子层；在所述第一盖帽层内，所述第二子层靠近所述第一子层的一侧的厚度，小于所述第二子层远离所述第一子层的一侧的厚度；和或， 所述第二盖帽层包括所述第一子层和所述第二子层；在所述第二盖帽层内，所述第二子层靠近所述第一子层的一侧的厚度，小于所述第二子层远离所述第一子层的一侧的厚度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳平湖实验室，其通讯地址为：518116 广东省深圳市龙岗区平湖街道中科亿方智汇产业园12栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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